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Prix Roundhill Memory ETF

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€45,30
-€1,89(-4,00 %)

*Données dernièrement actualisées : 2026-05-24 23:18 (UTC+8)

Au 2026-05-24 23:18, Roundhill Memory ETF (DRAM) est coté à €45,30, avec une capitalisation boursière totale de €2,10B, un ratio cours/bénéfices (P/E) de 0,00 et un rendement du dividende de 0,00 %. Aujourd'hui, le cours de l'action a fluctué entre €45,30 et €46,80. Le prix actuel est de 0,09 % au-dessus du plus bas de la journée et de 3,20 % en dessous du plus haut de la journée, avec un volume de trading de 20,84M. Au cours des 52 dernières semaines, DRAM a évolué entre €40,02 et €47,20, et le prix actuel est à -4,10 % de son plus haut sur 52 semaines.

Statistiques clés de DRAM

Clôture d’hier€46,84
Capitalisation du marché€2,10B
Volume20,84M
Ratio P/E0,00
Rendement des dividendes (TTM)0,00 %
Revenu net (exercice fiscal)€0,00
Revenus (exercice annuel)€0,00
Estimation des revenus€0,00
Actions en circulation44,91M
Bêta (1 an)0

À propos de DRAM

DRAM cherche à offrir aux investisseurs une exposition ciblée à l’industrie mondiale de la mémoire pour semi-conducteurs. La construction du portefeuille vise à privilégier les entreprises leaders du marché disposant d’une part significative de marché et de revenus dans les produits de mémoire pour semi-conducteurs et les technologies associées. Les produits de mémoire comprennent la mémoire à accès à large bande passante (HBM), la mémoire vive dynamique (DRAM), la mémoire flash NAND et les disques SSD utilisant la technologie NAND, la mémoire flash NOR, les disques durs (hard disk drives), ainsi que les solutions de mémoire spécialisées ou embarquées. Cette orientation a pour objectif de fournir une exposition ciblée aux grandes capitalisations, considérée comme essentielle pour soutenir le recours à l’IA. Pour mettre en œuvre sa stratégie d’investissement active, le fonds peut détenir des actions ou des instruments dérivés tels que des swaps ou des contrats à terme. Les pondérations du portefeuille reposent sur une méthodologie de capitalisation boursière modifiée, sous réserve d’un plafond de 25 % pour toute entreprise, et reflètent l’évaluation par les conseillers de la part de marché et de revenus de chaque entreprise au sein du secteur de la mémoire. Le rééquilibrage intervient au moins trimestriellement.
SecteurServices financiers
IndustrieGestion d'actifs
Siège socialNew York,NY,US

En savoir plus sur Roundhill Memory ETF (DRAM)

FAQ de Roundhill Memory ETF (DRAM)

Quel est le cours de l'action Roundhill Memory ETF (DRAM) aujourd'hui ?

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Roundhill Memory ETF (DRAM) s’échange actuellement à €45,30, avec une variation sur 24 h de -4,00 %. La fourchette de cotation sur 52 semaines est de €40,02 à €47,20.

Quels sont les prix le plus haut et le plus bas sur 52 semaines pour Roundhill Memory ETF (DRAM) ?

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Quel est le ratio cours/bénéfice (P/E) de Roundhill Memory ETF (DRAM) ? Que signifie-t-il ?

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Quelle est la capitalisation boursière de Roundhill Memory ETF (DRAM) ?

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Quel est le bénéfice par action (EPS) trimestriel le plus récent pour Roundhill Memory ETF (DRAM) ?

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Faut-il acheter ou vendre Roundhill Memory ETF (DRAM) maintenant ?

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Quels sont les facteurs pouvant influencer le cours de l’action Roundhill Memory ETF (DRAM) ?

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Comment acheter l'action Roundhill Memory ETF (DRAM) ?

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Avertissement sur les risques

Le marché boursier comporte un niveau élevé de risque et de volatilité des prix. La valeur de votre investissement peut augmenter ou diminuer, et vous pourriez ne pas récupérer le montant investi au complet. Les performances passées ne constituent pas un indicateur fiable des résultats futurs. Avant de prendre toute décision d’investissement, vous devez évaluer soigneusement votre expérience en matière d’investissement, votre situation financière, vos objectifs d’investissement et votre tolérance au risque, et effectuer vos propres recherches. Le cas échéant, consultez un conseiller financier indépendant.

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Roundhill Memory ETF (DRAM) Dernières Actualités

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DRAM est le premier ETF au monde exclusivement axé sur les puces de mémoire. Il détient des positions importantes dans des géants du stockage tels que Micron, SK hynix et Samsung Electronics, et se concentre sur la mémoire DRAM, la NAND et la mémoire à bande passante élevée HBM. HIMS est une plateforme américaine de télémédecine en ligne à distance. SHLD suit passivement l’indice mondial de l’industrie de la défense, avec des positions importantes dans les entreprises américaines de l’armement. IWM suit l’indice Russell 2000 et couvre 2 000 entreprises américaines de croissance à moyenne et petite capitalisation. 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Emes a effectué cet achat à partir de discussions sur des fils Reddit et de vidéos YouTube mettant en avant la demande dopée par l’IA pour les puces mémoire, qu’il voyait comme une opportunité de trading qu’il ne pouvait pas se permettre de manquer.2026-05-15 12:58L’évolution des agents IA provoque une pénurie de DRAM à 30-50%, un prochain pic de prix se profile en 2027 : Guotai HaitongD’après Guru Club, le 15 mai, une étude de Guotai Haitong Securities a révélé que l’inflation des chaînes d’approvisionnement alimentée par l’IA remodèle l’allocation des semi-conducteurs. Les pénuries traditionnelles d’approvisionnement en DRAM ont atteint 30-50%, les prix grimpant à mesure que les accélérateurs d’IA se disputent les ressources HBM. Pendant ce temps, Amazon AWS et Google Cloud ont mis fin à leur baisse de tarification sur deux décennies pour augmenter leurs frais, signalant que la pression sur les coûts se répercute en aval jusqu’aux consommateurs. L’évolution de l’IA Agent, du chat vers l’action, devrait déclencher le prochain cycle d’inflation. La consommation de tokens a bondi de 300 fois entre 2024 et 2025, chaque tâche d’Agent nécessitant des dizaines de fois plus de calculs en back-end que le chat classique. Cela stimulera une croissance exponentielle de la demande en HBM, mais l’expansion de l’offre se heurte à des goulets d’étranglement liés à la consommation de plaquettes et à des contraintes de rendement, sans soulagement significatif des capacités attendu avant 2027-2028.

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Mars Finance News 24 mai – Selon les informations divulguées sur le site de la CSRC, cette semaine (du 18 au 24 mai), deux nouvelles entreprises ont lancé leur conseil pour l’introduction en bourse sur A-shares, à savoir Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. et China Space Technology Co., Ltd. Parmi elles, Yangtze Memory est le seul grand fabricant IDM en Chine à réaliser la production en série de puces NAND flash 3D, et selon la capacité de production, le volume d’expédition et le chiffre d’affaires, elle est devenue le quatrième plus grand fabricant de DRAM au monde. Sa filiale à 100 %, Yangtze Memory Technology, a été pour la première fois classée dans le classement des licornes mondiales 2025 du Hurun Research Institute, avec une valorisation de 160 milliards de yuans, se classant 9e parmi les dix plus grandes licornes en Chine et 21e dans le monde, devenant la nouvelle licorne la plus valorisée dans le secteur des semi-conducteurs. Selon des sources du secteur citées dans les rapports, le montant de l’offre publique initiale (IPO) de Yangtze Memory pourrait se situer entre 30 et 40 milliards de yuans, avec une valorisation totale supérieure à 300 milliards de yuans. China Space Technology est la première entreprise en Chine à posséder un système autonome de contrôle opérationnel pour satellites d’observation commerciale, et elle est également la première à avoir été approuvée par le Conseil national du développement et de la réforme pour un conglomérat de satellites d’observation commerciale. La tentative d’introduction en bourse remonte à 2019, lorsque l’entreprise a retiré sa demande après l’approbation du marché STAR en raison de problèmes liés à la stratégie et à la comptabilité. En 2025, elle a changé d’organisme de conseil et a relancé le processus, et elle vise toujours le marché STAR. (Rapport de Kegu Bao)
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Le représentant commercial américain, Jamieson Greer, a déclaré que les États-Unis ne prévoient pas d'imposer immédiatement de nouveaux droits de douane sur les semi-conducteurs, mais qu'il est crucial de protéger cette industrie par des droits de douane et de favoriser le rapatriement de la production de puces aux États-Unis. Selon des médias étrangers, Greer a indiqué sur le site d'extension de l'usine de mémoire de Micron Technology en banlieue de Washington que le Bureau du représentant commercial des États-Unis (USTR) doit mettre en œuvre de manière raisonnable et progressive toute mesure tarifaire liée à l'enquête de sécurité nationale de l'article 232 du Trade Expansion Act, afin de promouvoir la production locale aux États-Unis. Il a dit que l'imposition de droits de douane sur les semi-conducteurs est effectivement très importante, mais qu'il est encore plus crucial de s'assurer que ces droits soient appliqués de manière appropriée et au bon moment, en tenant compte de la complexité de ces chaînes d'approvisionnement. Depuis des décennies, l'industrie des semi-conducteurs s'est déplacée à l'étranger ; le gouvernement souhaite éviter d'imposer immédiatement des droits de douane aux entreprises qui produisent déjà des semi-conducteurs, tout en permettant l'importation d'une certaine quantité de produits lors de la phase de rapatriement. Cependant, il n'a pas précisé l'ampleur de cette quantité. Micron a annoncé vendredi avoir lancé la production de wafers DRAM 1-alpha à Manassas, en Virginie, qui est actuellement la mémoire la plus avancée fabriquée aux États-Unis. La société a indiqué en juin qu'elle augmenterait ses investissements aux États-Unis de 30 milliards de dollars, portant le investissement total prévu à 200 milliards de dollars.
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