A Samsung aplica o processo de 2 nm à base die do HBM5 para obter um aumento de velocidade de 50%

A Samsung Electronics anunciou no dia 27 que aplicará um processo de fundição de 2 nanômetros com estrutura Gate-All-Around (GAA) na die base do HBM5, a próxima geração de High Bandwidth Memory. A empresa afirmou, por meio da sua newsroom de semicondutores, que a velocidade de operação do HBM5 deve ser mais de 50% superior à da geração anterior, o HBM4E, e que está preparando processos de ponta para aumentar a velocidade e a eficiência de potência. A die base é um semicondutor de lógica localizado na parte inferior da estrutura em pilha do HBM, conectando dados entre processadores externos como GPUs e CPUs e o HBM. Ela surgiu como um componente central que determina o desempenho geral do produto e a eficiência de potência desde que o HBM4 passou a usar processos de fundição.

Samsung enviou HBM4 e HBM4E com processo de 4nm

A Samsung Electronics enviou o primeiro HBM4 do mundo para produção em massa em fevereiro, seguido por amostras do HBM4E de 12 camadas em maio. As dies base do HBM4 e do HBM4E usam o processo de 4 nanômetros de 4ª geração da Samsung Foundry, que já está em seu terceiro ano de produção em massa.

Samsung aplicou dispositivos de alta densidade e ultra-alto desempenho na die base do HBM4E

Gu Ja-heum, vice-presidente e chefe de desenvolvimento de tecnologia da Samsung Electronics Foundry Business, explicou que dispositivos de alta densidade e dispositivos de ultra-alto desempenho foram aplicados à die base do HBM4E para atingir operação em alta velocidade de 14Gbps ou mais. As camadas de metalização (fiação) foram organizadas de forma eficiente para reduzir o consumo de energia, e os caminhos de dissipação de calor também foram otimizados.

Samsung destaca capacidade turn-key integrando memória, fundição e empacotamento

A Samsung Electronics destacou sua capacidade turn-key, internalizando memória, fundição e empacotamento avançado. A estrutura envolve o Memory Business produzindo dies centrais, a Foundry Business produzindo as dies base e a organização de empacotamento montando tudo em produtos finais. Segundo a empresa, isso permite otimização conjunta de velocidade, potência, calor e rendimento desde a fase de projeto. A Samsung afirmou que, durante o desenvolvimento da die base do HBM4, foi criado um grupo de trabalho interdivisional, atingindo metas de desempenho e rendimento já no primeiro protótipo, com cerca de três meses necessários do preparo do processo até a confirmação do resultado.

Samsung começou produção em 2nm e planeja lançar produto móvel 2nm de 2ª geração

A Samsung Electronics está expandindo as áreas de aplicação dos processos avançados de fundição, indo de dispositivos móveis para IA, computação de alto desempenho (HPC), automotivo e robótica. A empresa iniciou a produção em massa do processo de 2 nanômetros de 1ª geração na segunda metade do ano passado. Na segunda metade deste ano, ela planeja começar a produção em massa de produtos móveis baseados no processo de 2 nanômetros de 2ª geração, com rendimento e desempenho melhorados. Além disso, a Samsung está ampliando soluções one-stop conectando empacotamento avançado e HBM e buscando desenvolvimento de tecnologia baseado em fotônica de silício e ótica de copacote (CPO) para data centers. Com base na experiência com a die base de 4 nanômetros acumulada com o HBM4, a Samsung planeja aplicar de forma proativa o processo de 2 nanômetros ao HBM5 para fortalecer sua liderança tecnológica no mercado de semicondutores para IA.

Perguntas Frequentes

Qual processo de fundição a Samsung aplicará na die base do HBM5?

A Samsung Electronics anunciou no dia 27 que aplicará um processo de fundição de 2 nanômetros com estrutura Gate-All-Around (GAA) na die base do HBM5. A empresa afirmou que a velocidade de operação do HBM5 deve ser mais de 50% superior à do HBM4E.

Quando a Samsung enviou os produtos HBM4 e HBM4E?

A Samsung Electronics enviou o primeiro HBM4 do mundo para produção em massa em fevereiro e enviou amostras do HBM4E de 12 camadas em maio. As dies base de ambos os produtos usam o processo de 4 nanômetros de 4ª geração da Samsung Foundry.

Qual é o cronograma de produção da Samsung para o processo de 2nm?

A Samsung Electronics iniciou a produção em massa do seu processo de 2 nanômetros de 1ª geração na segunda metade do ano passado. A empresa planeja começar a produção em massa de produtos móveis baseados no processo de 2 nanômetros de 2ª geração, com rendimento e desempenho melhorados, na segunda metade deste ano.