AI 重塑 DRAM 周期：HBM 爆发、三星扩产与存储芯片 2028 紧缺时代全面开启
AI 服务器 DRAM 用量为普通服务器 8-10 倍，推动存储芯片进入结构性新周期。
Blog Team2026-07-15
高盛为何押注 HBM 明年再涨 44%？传统 DRAM 涨价正在改写定价逻辑
高盛 6 月 DRAM 情绪调查维持温和正面，将三星 2027 年 HBM 价格增速预期从 14% 大幅上调至 44%，并强调仍有上行空间。
Blog Team2026-07-01
HBM vs DRAM：AI 大模型为何离不开它？存储芯片从“平面时代”走向“ 3D 革命”
本文从技术架构、带宽能效、市场格局三维度拆解存储芯片革命，并梳理 AI 算力浪潮下的投资逻辑与 Gate 股票交易指南。
Blog Team2026-06-30
美光财报后的半导体配置逻辑：HBM、DRAM、NAND 如何选择？
本文拆解 HBM/DRAM/NAND 三类存储芯片的配置逻辑与风险边界。
Blog Team2026-06-25
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一年涨 11 倍后迎财报大考：美光 MU 能否撑起 AI 存储超级周期的高估值？
美光6月24日Q3财报即将揭晓，市场预期营收同比增超270%、EPS增近10倍。本文从HBM供需结构、DRAM/NAND定价趋势与Q4指引三大维度，解析AI存储周期的可持续性。
Blog Team2026-06-24
AI 如何重塑存储芯片格局？DRAM 市场正进入“算力驱动”的新结构周期
半导体memory cycle 2026的结构性分化逻辑与投资启示。
Blog Team2026-06-22
美光 MU 股价年涨 260%，AI 服务器 DRAM 需求激增能否持续？
德银将美光目标价上调至 1,500 美元，从 MU 股价暴涨 260%、逼近历史高点切入，分析 DRAM 短缺、HBM 需求爆发与存储产业超级周期逻辑。
Blog Team2026-06-18
DRAM 再创历史新高：全球首只纯内存 ETF 凭何实现近 150% 年内涨幅？
内存 ETF DRAM 上线以来累计涨幅近 150%，再创历史新高。解析 AI 驱动下的内存短缺格局、基金持仓集中度与结构性逻辑。
Blog Team2026-06-02
三星 AI 记忆体超级周期中的反直觉信号：为什么 DRAM 比 HBM 更赚钱？
本文剖析这一反常现象背后的定价机制、产能挤兑效应与超级周期真实逻辑。
Blog Team2026-05-28