وفقاً لبيرنشتاين في 22 يونيو، أصبحت أسعار الذاكرة الديناميكية للولوج العشوائي العادية (DRAM) متكافئة مع الذاكرة عالية النطاق (HBM) أو حتى أعلى منها على أساس كل بت، وذلك بعد زيادة سعرية بلغت 4.5x من الربع الثالث 2025 إلى الربع الثاني 2026. وأشار المحلل إلى أن DRAM تحقق إيرادات تقارب الضعف لكل رقاقة (wafer) مقارنةً بـ HBM بسبب ارتفاع كثافة البت ومعدلات العائد (yield)، إلى جانب هوامش أرباح أعلى بكثير.
تقدّر بيرنشتاين أن أسعار HBM ستحتاج إلى الارتفاع بنحو 3x على أساس كل رقاقة كي تتماثل في تحقيق إيراداتها مع DRAM العادية. ومع ذلك، فمن غير المرجح أن تسعى شركات تصنيع الشرائح إلى تسعير بهذا القدر من العدوانية، إذ إن تكاليف HBM المرتفعة للغاية قد تعيق تطوير منظومة الذكاء الاصطناعي وفي النهاية تُضعف الطلب على التخزين.