تراجعت أسهم شركة Samsung Electronics وSK Hynix بشكل حاد في يوم التداول المشار إليه، رغم نتائج إيجابية من Alphabet (Google)، بفعل ضغط ارتفاع أسعار النفط، وقلق بشأن معدلات الفائدة، ومخاوف تباطؤ أسعار فلاش NAND. أغلقت Samsung Electronics على انخفاض بنسبة 6.48% عند 252,500 وون، بينما هبطت SK Hynix بنسبة 6.67% إلى 1,791,000 وون، وفق بيانات بورصة كوريا التي نُشرت في 25 من الشهر. وجاءت هذه الانخفاضات مع تزايد المخاوف من تباطؤ متوسط سعر البيع (ASP) لفلاش NAND في النصف الثاني من العام المقبل، ما أثّر على أسهم شركات أشباه الموصلات العالمية للذاكرة. ومع ذلك، اعتبرت شركات وساطة أن التصحيح مبالغ فيه، مشيرة إلى أن العوامل السلبية تم تسعيرها بالكامل، وأن المستويات الحالية تمثل فرصة شراء قوية، مع بقاء زخم صعودي هيكلي تجاه «600,000 وون لأسهم Samsung Electronics و4.2 مليون وون لـ Hynix» راسخاً بفضل استثمارات البنية التحتية للذكاء الاصطناعي وقوة أسعار DRAM.
Samsung Electronics وSK Hynix تسجلان هبوطاً حاداً في يوم التداول المشار إليه
وفقاً لبيانات بورصة كوريا المنشورة في 25، أغلقت Samsung Electronics في اليوم السابق للتداول عند 252,500 وون، بانخفاض 6.48%. أنهت SK Hynix تداولاتها عند 1,791,000 وون، بتراجع 6.67%. شهد السوق انكماشاً سريعاً في معنويات المستثمرين، مع ارتفاع أسعار النفط العالمية، وتزايد مخاوف معدلات الفائدة، وارتفاع عبء استثمارات الذكاء الاصطناعي. كما توقفت سلسلة الشراء للأجانب التي استمرت أربعة أيام.
مستثمرون أجانب يبيعون 2.6 تريليون وون في أسهم أشباه الموصلات
باع مستثمرون أجانب 1.7568 تريليون وون من أسهم Samsung Electronics و873.1 مليار وون من أسهم SK Hynix في يوم التداول المشار إليه، ما غذّى تراجع سعر السهم. وخلصت شركات وساطة إلى أن السبب الرئيسي وراء الانسحاب الأخير في أسهم أشباه موصلات الذاكرة العالمية لم يكن ضعفاً في الأرباح، بل مخاوف بشأن تباطؤ متوسط سعر البيع (ASP) لفلاش NAND في النصف الثاني من العام المقبل.
شركات وساطة تُرجع الانخفاض إلى مخاوف أسعار NAND تم تسعيرها مسبقاً
يرى خبراء أن هذا الهبوط الحاد يُعد عملية لاستيعاب العوامل السلبية وليس تدهوراً جوهرياً. ووفقاً لشركة Mirae Asset Securities، انخفضت أسعار أسهم قطاع أشباه الموصلات بنحو 30% من ذروتها في 20 من الشهر الماضي، لكنها استوعبت إلى حد كبير احتمال انخفاض أسعار NAND بحلول نهاية العام المقبل. من المتوقع أن يتحول ميزان العرض والطلب على NAND من نقص في العرض بنسبة 10.8% في الربع الأول من هذا العام إلى فائض في العرض بنسبة 1.1% في الربع الثالث من 2027، وبنسبة 12.2% في الربع الرابع.
وقال كيم يونغ-غون، الباحث لدى Mirae Asset Securities: «تم تسعير مخاوف انخفاض أسعار NAND بشكل كبير في التصحيح الأخير لأسهم الشركات، والتوسع المستقبلي في المعروض ليس على مستوى مفرط بشكل خطير. وفي هذه المرحلة، بعد حدوث تصحيح كافٍ، نوصي بزيادة المراكز استناداً إلى الأساسيات». وحافظت الشركة على سعرها المستهدف البالغ 550,000 وون.
توقع نقص إمدادات DRAM وHBM حتى 2028
في الواقع، تزداد وتيرة النمو لوحدات DRAM والذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM)، وهما من المؤشرات الأساسية لقطاع أشباه الموصلات، قوةً. وقد واصلت أسعار فوري spot لوحدات DRAM عامة الغرض DDR5 الارتفاع لأكثر من 40 يوماً من أيام التداول. ومع توسع إنتاج الجيل السادس من HBM عالي النطاق الترددي (HBM4) بالاعتماد على DRAM من نوع 1c (DRAM فائق الصغر من الجيل التالي بقياس 11 نانومتراً) في العام المقبل، وبدء الإنتاج الشامل للجيل السابع من HBM4E في النصف الأول من 2028، يُتوقع أن تكون القيود الهيكلية على طاقة إنتاج RAM ذات الاستخدام العام أمراً لا مفر منه لفترة ممتدة.
وأوضح كانغ دا-هيون، الباحث لدى KB Securities: «يُتوقع أن تتضاعف حصة HBM من إجمالي طاقة إنتاج رقائق DRAM بأكثر من الضعف، من 15% هذا العام إلى 34% العام المقبل، مع تركيز خطوط جديدة على تخصيص HBM. ومع زيادة إمدادات HBM عالية القيمة، سيصبح ميزان العرض والطلب على DRAM ذات الاستخدام العام أكثر اختناقاً، و رغم التوسع في اتفاقيات التوريد طويلة الأجل (LTA) لمدة 5 سنوات في النصف الثاني، ستستمر دورة طيبة قوية تتمثل في ارتفاع أسعار الذاكرة بما لا يقل عن 30% في الربع الثالث، حتى عام 2028».
استمرار استثمارات البنية التحتية للذكاء الاصطناعي لدى شركات التقنية الكبرى يدعم الاتجاه الصعودي طويل الأجل
تضيف الاستثمارات المستمرة في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي من شركات التقنية الكبرى وزناً لرؤية الصعود طويل الأجل. وبالنظر إلى أرصدة الطلبات وخطط الإنفاق الرأسمالي (Capex) لدى شركات كبرى بما في ذلك Google وAmazon وMeta، يشير محللون إلى أن مخاوف تباطؤ استثمارات الذكاء الاصطناعي ليست سوى حوادث قصيرة الأجل، وأن تحسين كفاءة خوارزميات الذكاء الاصطناعي سيخفض تكاليف الاستدلال ويُطلق «مفارقة الكفاءة» التي تحفز بدورها الطلب الإجمالي على الذاكرة.
KB Securities تُبقي على السعر المستهدف 600,000 وون لـ Samsung Electronics
حافظت KB Securities على سعر مستهدف قدره 600,000 وون لـ Samsung Electronics، واصفة إياه بأنه «أكبر المستفيدين من منظومة Google للذكاء الاصطناعي». وقال الباحث كانغ: «تُعد Samsung Electronics المورد رقم واحد لـ 50% من ذاكرة خوادم Google و80% من HBM، ومن المتوقع حدوث مفاجأة أرباح واسعة النطاق في الربع الثالث. ستشتد فجوة إمدادات الذاكرة حتى 2028 بسبب استثمارات الذكاء الاصطناعي غير القابلة للكبح من شركات التقنية الكبرى».
KB Securities تُبقي على السعر المستهدف 4.2 مليون وون لـ SK Hynix
كما أبقت KB Securities سعرها المستهدف عند 4,200,000 وون لـ SK Hynix. وأكد كيم دونغ-وون، رئيس قسم أبحاث KB Securities، أن «المبيعات إلى شركات التقنية الكبرى ومراكز بيانات الذكاء الاصطناعي ستتوسع إلى 70% بسبب زيادة نسبة إنتاج HBM وتوسيع اتفاقية التوريد طويلة الأجل (LTA). وبخلاف الماضي، فإن التحول إلى هيكل مبيعات يركز على B2B سيقلل تقلبات الأرباح ويُسرّع زيادات التقييم».
الأسئلة الشائعة
س: لماذا تراجعت أسهم Samsung Electronics وSK Hynix بشكل حاد في يوم التداول المشار إليه؟
ج: انخفضت Samsung Electronics بنسبة 6.48% إلى 252,500 وون، وهبطت SK Hynix بنسبة 6.67% إلى 1,791,000 وون بسبب مخاوف تباطؤ أسعار فلاش NAND في النصف الثاني من العام المقبل، إلى جانب ارتفاع أسعار النفط ومخاوف معدلات الفائدة، وفق بيانات بورصة كوريا المنشورة في 25.
س: ماذا تقول شركات الوساطة بشأن مستويات سعر السهم الحالية؟
ج: ترى شركات الوساطة أن التصحيح مبالغ فيه وتؤكد أن العوامل السلبية تم تسعيرها بالكامل. تحافظ KB Securities على أسعار مستهدفة عند 600,000 وون لـ Samsung Electronics و4,200,000 وون لـ SK Hynix، بينما تحافظ Mirae Asset Securities على 550,000 وون لـ Samsung Electronics، وتوصي بفرص الشراء استناداً إلى الأساسيات.
س: كم مدة استمرار نقص إمدادات DRAM المتوقعة؟
ج: وفقاً لكانغ دا-هيون، الباحث لدى KB Securities، يُتوقع أن يستمر نقص إمدادات الذاكرة حتى 2028، مع توسع حصة HBM من إجمالي طاقة إنتاج رقائق DRAM من 15% هذا العام إلى 34% العام المقبل، ما يخلق قيوداً هيكلية على طاقة إنتاج RAM ذات الاستخدام العام.
