سامسونج تودع براءة اختراع جديدة لتقنية HBM لذاكرة من 12+ طبقة في 30 يونيو، وتحسّن الموثوقية

2026-06-30 10:49:29

وفقًا لـ BlockBeats نقلاً عن باحث Citrini جوكان، تقدمت شركة سامسونج للإلكترونيات ببراءة اختراع جديدة لتقنية HBM في 30 يونيو لتعزيز الموثوقية في الذاكرة عالية التكديس (12 طبقة فما فوق). تعمل براءة الاختراع على تحسين هيكل الرقاقة الوهمية في الطبقة العليا بإدخال تصميم متدرج ثلاثي المستويات بأسطح منحنية، وذلك باستخدام تقنية القطع ذات الأخاديد العميقة لتقليل التواء الشرائح وتشققها وتقشيرها، مع تحسين إدارة الحرارة ونظافة واجهة الترابط. يستهدف الابتكار منتجات HBM5 و16 طبقة وما فوق، مما قد يعزز معدلات الإنتاجية والاستقرار على المدى الطويل.

عرض المصدر

إخلاء المسؤولية: قد تكون المعلومات الواردة في هذه الصفحة مستمدة من مصادر خارجية وهي للمرجعية فقط. لا تمثل هذه المعلومات آراء أو وجهات نظر Gate ولا تشكل أي نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية. ينطوي تداول الأصول الافتراضية على مخاطر عالية. يرجى عدم الاعتماد حصرياً على المعلومات الواردة في هذه الصفحة عند اتخاذ القرارات. لمزيد من التفاصيل، يرجى الرجوع على إخلاء المسؤولية.

أخبار ذات صلة

منذ 8 س

Samsung وSK Hynix تسجلان وزناً مجمعاً قياسياً بنسبة 60% في مؤشر KOSPI في 30 يونيو

منذ 9 س

شركة CXMT الصينية تصبح رابع أكبر مصنع للذاكرة DRAM في العالم، لكن من غير المرجح أن يخف النقص في العرض على المدى القصير

منذ 10 س

سامسونج وإس كيه هاينكس وميكرون يُقاضون بسبب تثبيت أسعار DRAM؛ الأسعار ارتفعت 700% في أربع سنوات

منذ 14 س

استثمار سامسونج وSK Hynix بقيمة 800 تريليون وون في أشباه الموصلات يُظهر تخلف الأصول الرقمية في منافسة رأس المال، وفقًا لـ CoinDesk

منذ 22 س

Samsung، SK Hynix، Micron مرفوع ضدهم دعوى قضائية بزعم التلاعب بأسعار DRAM؛ مزاعم حصة السوق تتجاوز 90%

تحليل متعمق