China desarrolla el primer transistor de silicio-grafeno-germanio verificado con RF, con una frecuencia de corte de 132GHz, el 6 de junio

De acuerdo con Science and Technology Daily, el Instituto de Investigación de Metales de la Academia China de Ciencias desarrolló con éxito el primer transistor del mundo con heterounión de silicio-grafeno-germanio, con pruebas de radiofrecuencia demostradas el 6 de junio. En mediciones de RF, el dispositivo alcanzó una frecuencia de corte intrínseca de 132GHz, estableciendo un nuevo récord para transistores de región base bidimensional verticales. El estudio, publicado en Nature Communications, también mostró la mayor ganancia de corriente del transistor registrada. El análisis de modelado indica que la frecuencia de operación teórica del dispositivo podría superar 1THz, entrando en la banda de aplicaciones de terahercios.
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