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La Chine développe le premier transistor silicium-graphène-germanium testé par radiofréquence avec une fréquence de coupure de 132 GHz le 6 juin

GateNews
D’après Science and Technology Daily, l’Institut de recherche sur les métaux de l’Académie chinoise des sciences a réussi à développer le premier transistor hétérojonction silicium-graphène-germanium au monde, avec des tests de radiofréquence démontrés le 6 juin. Lors des mesures RF, l’appareil a atteint une fréquence de coupure intrinsèque de 132 GHz, établissant un nouveau record pour les transistors à région de base bidimensionnelle verticale. L’étude, publiée dans Nature Communications, a également mis en évidence le plus fort gain de courant du transistor jamais observé. Une analyse de modélisation indique que la fréquence de fonctionnement théorique de l’appareil pourrait dépasser 1 THz, entrant dans la bande d’applications térahertz.
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