Samsung a utilisé Computex pour présenter en avant-première le HPB, ou Heat Path Block, une caractéristique thermique pour sa mémoire HBM5 de nouvelle génération

Ceci est la réponse de Samsung à une approche de refroidissement que SK Hynix a déjà révélée
Les deux entreprises tentent de résoudre le même problème : la chaleur
HBM empile de nombreux dies DRAM verticalement sur un die de base, et chaque nouvelle génération continue d’augmenter la capacité et la bande passante en ajoutant plus de couches et en poussant des débits plus élevés. Cela augmente également la densité de puissance
La chaleur générée au milieu d’un empilement élevé a du mal à s’échapper car elle doit remonter à travers des couches de silicium et des vias traversant le silicium avant d’atteindre la plaque froide en haut. À mesure que les empilements deviennent plus hauts et plus rapides, ce goulot d’étranglement vertical devient un véritable limiteur. La DRAM chaude fuit davantage, nécessite des cycles de rafraîchissement plus fréquents, et peut commencer à limiter la performance
La solution de Samsung consiste à ajouter un chemin de chaleur latéral au lieu de se fier uniquement à la voie verticale. HPB est une structure thermique dédiée placée à côté de l’empilement de DRAM sur le même die de base. Elle est construite à la même hauteur que l’empilement et connectée via une interface PHY die-à-die. La chaleur excessive provenant de l’empilement se déplace latéralement dans le HPB puis se dissipe vers le haut dans la plaque froide de manière plus efficace
SK Hynix a atteint cette idée en premier avec iHBM, qui intègre des éléments de refroidissement intégrés dans le package en utilisant un procédé appelé MR-RUF
Les premiers GPU utilisant la HBM5 ne sont pas attendus avant 2028–2029, donc Samsung et SK Hynix ont encore des années pour affiner ces conceptions avec leurs partenaires