Samsung lidera receita global de DRAM e NAND no 1º trimestre; SK Hynix lidera HBM com 58%

De acordo com a Counterpoint Research, a Samsung Electronics deteve 38% da receita global de DRAM no primeiro trimestre de 2026, à frente dos 29% da SK Hynix e dos 22% da Micron. Em memória de alta largura de banda (HBM), a SK Hynix comandou 58%, enquanto Samsung e Micron ficaram com 21% cada. A Samsung também liderou o NAND flash com 29%, seguida pela SK Hynix com 18%, e a chinesa YMTC subiu para 13%, ante 8%.

O mercado de DRAM cresceu 80% na comparação trimestral e 260% na comparação anual, enquanto o NAND expandiu 90% trimestre a trimestre, impulsionado por preços mais altos, demanda por servidores de IA e migração de fornecedores para HBM, DDR5 e armazenamento empresarial.