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A China desenvolve o primeiro transistor de silício-grafeno-germânio testado com RF, com uma frequência de corte de 132 GHz, a 6 de junho

2026-06-08 12:13:10

De acordo com a Science and Technology Daily, o Instituto de Investigação de Metais, da Academia Chinesa de Ciências, desenvolveu com sucesso o primeiro transístor de heterojunção de silício-grafeno-germânio do mundo, com testes de radiofrequência demonstrados a 6 de junho. Nas medições de RF, o dispositivo atingiu uma frequência de corte intrínseca de 132GHz, estabelecendo um novo recorde para transístores de região base bidimensional vertical. A investigação, publicada na Nature Communications, mostrou também o maior ganho de corrente do transístor alguma vez registado. A análise de modelação indica que a frequência de funcionamento teórica do dispositivo pode exceder 1THz, entrando na banda de aplicações terahertz.

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