A Tower Semiconductor vai investir 3 mil milhões de dólares no Japão em capacidade de produção de chips para IA, apoiada por 1 mil milhão de dólares em apoio governamental

De acordo com a Calcalist, a Tower Semiconductor anunciou a 14 de julho um investimento de 3 mil milhões de dólares no Japão, apoiado por cerca de 1 mil milhão de dólares em subsídios governamentais, para expandir a capacidade de silício fotónico de 300 mm, silício germânio e de embalamento óptico avançado para aplicações de IA e centros de dados. O fabricante israelita de chips irá converter a sua instalação de Arai (anteriormente Fab 6) num local de produção para silício fotónico de 300 mm e embalamento avançado, enquanto aumenta a produção na Fab 7 em Uozu. A Tower espera estar em plena prontidão para produção no quarto trimestre de 2027.
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