AMD представила ИИ-ускоритель MI455X: скорость памяти HBM4 выросла в 2,9 раза по сравнению с предыдущим поколением

AMD 22 липня на щорічному заході «AMD Advancing AI 2026» у Moscone Center в Сан-Франциско (Каліфорнія) представила новий AI-акселератор Instinct MI455X: у порівнянні з попереднім продуктом MI355X (з 8 шарами стеку HBM3E, ємністю 288GB) ємність зросла у 1,5 раза, а швидкість — у 2,9 раза.

Специфікації HBM4 для AMD MI455X

MI455X отримує підтримку HBM4 як результат ключових удосконалень:

· Порівняння поколінь (MI455X HBM4 vs MI355X HBM3E)

· Кількість шарів стеку: 12 шарів vs 8 шарів (+4 шари)

· Ємність на один чип: 432GB vs 288GB (зростання у 1,5 раза)

· Пропускна здатність: 23,3 TB/s vs приблизно 8 TB/s (зростання у 2,9 раза)

· Ширина каналу: 2048 біт vs 1024 біт (подвоєння)

· Загальна обчислювальна продуктивність: приблизно у 4 рази вища за попереднє покоління

Dieckmann пояснив, що приріст швидкості досягається не лише за рахунок підвищення тактової частоти: ефект реалізується одночасно завдяки збільшенню кількості шарів стеку (8 шарів → 12 шарів) і подвоєнню ширини з’єднувальних каналів (1024 біти → 2048 біт).

Інтеграція MI455X: пряме підключення CPU зі швидкістю 256GB/s

CPU, який використовують разом із MI455X, — це процесори серверного покоління AMD EPYC Gen6. Через спеціальні канали вони з’єднуються напряму з GPU: швидкість передавання даних досягає 256GB на секунду, що дозволяє CPU без затримок звертатися до пам’яті GPU та усуває вузькі місця в обміні даними. На рівні системи Helios: у межах одного стійкового рішення можна інтегрувати до 72 одиниць MI455X, а сумарна ємність HBM4 становитиме до 31TB. Пропускна здатність пам’яті може досягати 1,7 PB/s, забезпечуючи приріст ефективності пам’яті від рівня чипа до масштабування на рівень стійки.

Samsung Electronics як основний постачальник HBM4

Один із керівників AMD, який дав інтерв’ю на місці, розповів, що Samsung Electronics забезпечить більшу частину пам’яті HBM4 для MI455X. Компанія готує продукти HBM4 із 12 шарами стеку, ємністю на рівні 36GB, із застосуванням 10-нанометрового техпроцесу (1c), а швидкість передавання по одному контакту — 13Gbps. Пропускна здатність одного стеку становитиме 3,3TB/s — повідомляється, що це значно швидше за попереднє покоління HBM3E.

AMD і Samsung Electronics уже в березні 2026 року підписали MOU в офісній локації Samsung Pyeongtaek, щоб розширити співпрацю в напрямі HBM4; керівник AMD також заявив, що спільна робота буде посилена на наступній стадії HBM4E. Ціль — досягти 16 шарів стеку, близько 60GB ємності та десятків TB/s пропускної здатності.

Поширені запитання

Які параметри пам’яті HBM4 встановлені в AMD MI455X і чим вони відрізняються від MI355X?

MI455X використовує HBM4 із 12 шарами стеку, ємність одного чипа — 432GB, пропускна здатність — 23,3 TB/s; у порівнянні з попереднім MI355X із 8 шарами стеку HBM3E (ємність 288GB) ємність зросла у 1,5 раза, а швидкість — у 2,9 раза; загальна обчислювальна продуктивність приблизно на 4 рази вища за попереднє покоління.

Яку роль відіграє Samsung Electronics у постачанні HBM4 для AMD MI455X?

За словами керівника AMD в інтерв’ю на місці, Samsung Electronics забезпечить для MI455X більшу частину пам’яті HBM4; продукти Samsung HBM4 використовують 12 шарів стеку, ємність 36GB, застосовується 10-нанометровий техпроцес (1c), а пропускна здатність одного стеку сягає 3,3TB/s; AMD і Samsung Electronics також у березні 2026 року підписали MOU для розширення співпраці та спільно розробляють наступне покоління HBM4E.

Коли було підписано MOU між AMD і Samsung Electronics і в чому полягає сфера співпраці?

AMD і Samsung Electronics підписали меморандум про взаєморозуміння (MOU) у березні 2026 року в офісній локації Samsung Pyeongtaek. Мета — розширити співпрацю в напрямі наступного покоління пам’яті (включно з HBM4); також сторони спільно розробляють HBM4E (сьоме покоління HBM), прагнучи досягти 16 шарів стеку, близько 60GB ємності та десятків TB/s пропускної здатності.