Samsung и Broadcom подписали партнёрство $200B в области AI-полупроводников до 2030 года

Samsung Electronics подписала стратегическое партнерское меморандум о взаимопонимании с Broadcom 24-го числа (по местному времени) на AI Summit в Сан-Франциско. Сотрудничество на сумму свыше 200 миллиардов долларов (примерно 280 трлн вон) продлится до 2030 года и будет сосредоточено на создании инфраструктуры для искусственного интеллекта нового поколения. Партнерство нацелено на растущее внедрение specialized application-specific integrated circuits глобальными компаниями big tech, объединяя сильные стороны Broadcom в проектировании кастомных полупроводников с возможностями Samsung в памяти, литейном производстве и упаковке, чтобы усилить конкурентоспособность AI-полупроводников.

В церемонии подписания приняли участие Хан Джин-ман, президент Foundry Business компании Samsung Electronics, Хок Тан, генеральный директор Broadcom, руководители обеих компаний, а также представители правительства. На мероприятии также присутствовали президент Ли Чжэ-мён и председатель Samsung Electronics Ли Джа-йон.

Партнерство Samsung–Broadcom охватывает память, литейное производство и упаковку до 2030 года

Две компании расширят совместную работу в области памяти, литейного производства и продвинутой упаковки в течение ближайших пяти лет. Samsung Electronics будет поставлять Broadcom передовые продукты памяти, включая high bandwidth memory, для AI-ускорителей следующего поколения. Партнерство задействует литейные процессы 2 нанометра и ниже, а также передовые технологии упаковки для ключевых продуктов Broadcom.

Samsung поставляет HBM4 и применяет 2-нанометровый литейный процесс к продуктам Broadcom

Samsung Electronics запустила массовое производство и отгрузила HBM4, применив технологию 1c DRAM и 4-нанометровую базовую технологию кристалла, в феврале. В мае компания поставила образцы HBM4E клиентам. Память Samsung HBM будет использоваться для повышения вычислительной производительности и энергоэффективности AI-ускорителей Broadcom.

В секторе литейного производства партнерство будет применять процессы 2 нанометра и ниже к ключевым продуктам Broadcom, включая полупроводники высокоскоростной передачи данных следующего поколения. Компании планируют сокращать сроки разработки продуктов за счет интеграции проектирования полупроводников, оптимизации процессов, упаковки и массового производства.

Руководители подчеркивают комплексные полупроводниковые решения для эры ИИ

Чон Ён-хён, вице-председатель подразделения DS компании Samsung Electronics, заявил, что «в эру ИИ важны полупроводниковые решения, которые тесно интегрируют память, логику и передовую упаковку». Он добавил: «Мы расширим сотрудничество с Broadcom, чтобы ускорить разработку будущей инфраструктуры для ИИ и предложить клиентам большую ценность».

Чарли Кавас, президент Semiconductor Solutions Group в Broadcom, сказал: «Благодаря сотрудничеству с Samsung Electronics мы создадим решения нового поколения, оптимизированные под диверсификацию требований рынка».

FAQ

Какова стоимость партнерства Samsung–Broadcom, объявленная 24-го числа?

Стратегическое партнерство Samsung Electronics и Broadcom оценивается в свыше 200 миллиардов долларов (примерно 280 трлн вон) и будет действовать до 2030 года. Сотрудничество охватывает память, литейное производство и передовую упаковку для развития инфраструктуры для ИИ.

Какие конкретно продукты Samsung Broadcom будет использовать в своих AI-ускорителях?

Broadcom будет использовать продукты высокопропускной памяти Samsung, включая HBM4 и HBM4E, в AI-ускорителях следующего поколения. Samsung запустила массовое производство HBM4 в феврале и поставила клиентам образцы HBM4E в мае. Партнерство также применит литейные процессы Samsung 2 нанометра и ниже к ключевым продуктам Broadcom.