Генеральний директор Intel Пат Гелсінджер нещодавно заявив у подкасті, що поставив за мету досягти 10-кратної віддачі протягом 5–10 років. Він розкрив, що за останні 14 місяців уже забезпечив приблизно 6-кратну віддачу для акціонерів Intel, хоча наголосив, що трансформація компанії все ще на початковій стадії.
Гелсінджер окреслив систематичне технологічне оновлення, сфокусоване на передовому пакуванні, нових матеріалах для напівпровідників і технологіях підкладок наступного покоління. Інвестиції Intel включають підтримку компанії 3DGS, що працює зі скляними підкладками, розвиток технології чипових з’єднань EMIB та інвестиції в складні напівпровідники, зокрема нітрид галію, карбід кремнію й фосфід індію. Також гендиректор підкреслив співпрацю з Елон Маском із Tesla щодо Terafab — спільної ініціативи для усунення прогалин у напівпровідниковій інфраструктурі за потужностями та енергоефективністю. Гелсінджер очікує, що повний потенціал Intel розкриється в період між 2030 і 2032 роками.