Trung Quốc phát triển transistor silicon-graphene-germanium đầu tiên đã được thử nghiệm RF, với tần số cắt 132 GHz vào ngày 6 tháng 6

Theo Science and Technology Daily, Viện Nghiên cứu Kim loại thuộc Học viện Khoa học Trung Quốc đã phát triển thành công transistor dị thể silicon–graphene–germanium đầu tiên trên thế giới, với thử nghiệm kiểm tra tần số vô tuyến (RF) được chứng minh vào ngày 6 tháng 6. Trong các phép đo RF, thiết bị đạt tần số cắt nội tại là 132GHz, thiết lập kỷ lục mới cho transistor vùng gốc hai chiều theo chiều dọc. Nghiên cứu, được công bố trên Nature Communications, cũng cho thấy hệ số khuếch đại dòng transistor cao nhất từng được ghi nhận. Phân tích mô hình hóa cho thấy tần số làm việc lý thuyết của thiết bị có thể vượt 1THz, bước vào dải ứng dụng terahertz.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận