Theo các báo cáo thị trường ngày 3 tháng 7, Kioxia đã bắt đầu gửi mẫu chip bộ nhớ flash 3D NAND thế hệ mới cho các nhà vận hành trung tâm dữ liệu AI. Giải pháp lưu trữ mật độ cao mới nhất của nhà sản xuất chip có trụ sở tại Tokyo được thiết kế để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng từ các trung tâm dữ liệu AI về mật độ lưu trữ cao hơn, tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn và hiệu suất năng lượng được cải thiện.
Các chip mới có cấu trúc xếp chồng 332 lớp để lưu trữ nhiều dữ liệu hơn trên mỗi tấm silicon. Kioxia thông báo trong một tuyên bố rằng sản phẩm mới nhất sẽ được sử dụng trong các ổ cứng thể rắn của trung tâm dữ liệu và sẽ được sản xuất tại một cơ sở mới xây dựng ở Kitakami, tỉnh Iwate, phía bắc Nhật Bản. Cơ sở mới này nhằm tăng cường năng lực sản xuất để đáp ứng nhu cầu lưu trữ dữ liệu tăng nhanh từ các nhà cung cấp dịch vụ AI.