Samsung Electro-Mechanics Bắt đầu Sản xuất hàng loạt đế FC-BGA cho bộ tăng tốc AI200 của Qualcomm

2026-06-22 05:53:22

Theo BlockBeats, vào ngày 22/6, Samsung Electro-Mechanics bắt đầu sản xuất hàng loạt nền FC-BGA (flip-chip ball grid array) cho bộ tăng tốc AI trung tâm dữ liệu đầu tiên của Qualcomm, AI200, tại cơ sở ở Busan. AI200 được Qualcomm ra mắt vào tháng 10/2025, được thiết kế cho các tác vụ suy luận AI và có các lõi CPU Oryon tùy chỉnh cùng NPU Hexagon. Quan hệ hợp tác này đánh dấu sự mở rộng của Samsung Electro-Mechanics từ các thị trường di động và PC sang hạ tầng trung tâm dữ liệu cùng với Qualcomm.

Xem nguồn

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.

Tin tức liên quan

6giờ trước

Các tập đoàn siêu quy mô sẽ phát hành trái phiếu ở mức gấp đôi so với dự kiến trong giai đoạn 2027-2028, theo Citrini Research

17giờ trước

Doanh số chip AI của Broadcom tăng 65% lên 20 tỷ USD, hướng tới $100B vào năm 2027 so với đà tăng trưởng của Nvidia

06-21 06:19

Dự án chip AI tùy chỉnh (ASIC) dự kiến vượt GPU vào năm 2027, Broadcom nổi lên là bên hưởng lợi lớn nhất

06-21 05:42

Samsung Đánh Giá Các Thỏa Thuận Cung Cấp HBM Dài Hạn Với Nvidia, AMD và Google

06-21 02:34

Google cân nhắc Yangtze Memory cho sản lượng TPU thế hệ tiếp theo 3,5 triệu USD mỗi năm

Phân tích chuyên sâu