美光 MU 股價年漲 260%,AI 伺服器 DRAM 需求激增能否延續?

市場洞察
更新於: 2026-06-18 10:21

截至 2026 年 6 月 18 日,根據 Gate 股票行情數據顯示,美光科技(MU)收盤報價 1,043.19 美元,當日上漲 2.20%,盤後再漲 4.8%,暫報 1,092 美元。就在兩日前,該股於 6 月 16 日盤中創下 1,110.44 美元的歷史新高。目前盤後價格距離此一歷史高點,僅剩約 1.7% 的差距。

今年以來,美光股價已累計上漲約 260%。6 月 17 日,德意志銀行將美光目標價由 1,000 美元大幅上調至 1,500 美元,維持「買進」評等。若以 6 月 17 日收盤價 1,043.19 美元計算,德銀目標價意味著仍有約 30% 的潛在上漲空間;若以 6 月 16 日收盤價 1,020.76 美元為基準,則對應約 47% 的上漲幅度。

推動這一漲勢的核心動力,正是 AI 應用快速普及所帶來的記憶體供應短缺。德銀分析師 Melissa Weathers 指出,DRAM 供應緊張的情況「可能延續至 2028 年甚至更久」。

美光股價暴漲 260% 並逼近歷史高點,驅動力量究竟來自週期還是結構

理解美光本輪漲幅的本質,是判斷其可持續性的前提。傳統記憶體晶片產業以強烈的週期性聞名——供需錯配推動價格劇烈波動,股價隨之起伏。然而,本輪上漲的驅動邏輯,與過往週期有根本差異。

2025 年第一季至 2026 年第二季,DRAM 合約價累計漲幅超過 300%,NAND Flash 合約價累計上漲逾 250%。以 DDR5 16G 晶片為例,現貨價自 2025 年 5 月約 5.5 美元飆升至 2026 年 5 月超過 40 美元,12 個月累計漲幅創下產業新高。根據 Gartner 統計,2026 年 DRAM 價格上漲 125%,NAND 價格上漲 234%。

價格漲幅的規模已超越以往任何一輪週期。2017 至 2018 年的記憶體漲價週期中,DRAM 每比特價格累計漲幅約 90%。而本輪週期中,有分析指出 DRAM 每比特價格自 2025 至 2027 年累計漲幅可能達到 275% 至 300%。

超越週期的漲幅背後,是需求結構的根本性轉變。傳統週期中,記憶體需求由 PC 與智慧型手機換機週期帶動,屬於消費性電子領域的波動性需求。而本輪需求的核心動力,來自 AI 資料中心的基礎建設——這是一項持續數年、資本支出規模達數兆美元的長期工程。

AI 資料中心如何重塑記憶體需求基本面

AI 伺服器對記憶體的需求規模,與傳統伺服器完全不同。傳統伺服器的 DRAM 配置約 128GB 至 256GB,而 AI 優化伺服器已來到 512GB 至 1TB,甚至更高。單台 AI 伺服器對 HBM 的需求是傳統伺服器的 8 至 10 倍。2026 年全球 AI 伺服器出貨量預計突破 300 萬台,帶動 HBM 市場規模突破 200 億美元。

HBM(高頻寬記憶體)是 AI 算力硬體的核心元件。2026 年,HBM 需求增長主要由 AI ASIC 產能升級推動,每顆 AI 晶片的 HBM 容量自 96GB/192GB 大幅提升至 216GB/288GB。隨著 NVIDIA 新一代 Rubin Ultra 平台推出,單顆 GPU 配置 HBM 容量將進一步提升至 384GB。TrendForce 預估,HBM 投片量占整體 DRAM 投片比重將由 2025 年的 18% 提升至 2027 年約 30%。

AI 對記憶體需求的拉動不僅限於 HBM。德銀分析師指出,下一輪供應緊張將由傳統 DRAM 及低功耗 DRAM 的需求增長所推動,因為代理式人工智慧的發展使工作負載對記憶體的需求更加密集。美光預計 2026 年底,資料中心 DRAM 與 NAND 的位元數需求將超過產業總位元數市場的 50%。

這意味著記憶體需求的擴張正從 HBM 這一細分領域,向整體 DRAM 與 NAND 市場蔓延。

供需缺口何以持續至 2028 年:供給端的硬性約束

德銀認為產業供需失衡狀況將於 2026 年下半年、2027 年乃至 2028 年持續存在,甚至可能進一步惡化。這一判斷並非基於需求端的樂觀預期,而是供給端存在多重硬性約束。

從產能擴張的時間軸來看,半導體產線從建設到量產存在固有週期。以美光 ID1 新廠為例的產業關鍵新增產線,最快僅能於 2027 年年中啟動投產,而完成產能爬坡、達到穩定量產需 12 至 18 個月,直至 2028 年才能全面滿產並規模供貨。

高盛給出量化預測:2026 至 2028 年,全球 DRAM 供需缺口依序為 5.0%、5.9% 與 3.9%;NAND 快閃記憶體 2026、2027 年供需缺口分別為 4.4%、4.6%,2028 年小幅收斂至 3.0%;HBM 缺口最為明顯,分別為 5.4%、6.0% 與 4.3%。2027 年極有可能成為本輪記憶體產業供需矛盾最尖銳的一年。

值得注意的是,即便過去 180 天內有新產能擴張計畫陸續宣布並加速推進,上述供需緊張狀況預計仍將持續。這意味著供給端的約束不僅是產能不足,更涉及產能釋放的時間剛性。

同時,微軟、Google、Meta、阿里雲等主要雲端服務商為確保算力業務落地,紛紛簽署 3 至 5 年的長期供貨合約,透過預付保證金鎖定產能與供貨價格。這種大規模長約鎖貨導致現貨市場流通貨源大幅萎縮,進一步加劇終端市場的供給緊張態勢。

業績能否支撐估值:財報的關鍵驗證時點

美光計畫於 2026 年 6 月 24 日公布第三財季業績。德銀預期,記憶體市場的順風因素將推動美光本財年第三季營收達 351 億美元,高於公司先前給出的 335 億美元預期。高盛的預期更為樂觀,預估第三財季營收、毛利率與每股盈餘分別為 376 億美元、83.4% 與 22.07 美元,而市場共識預期分別為 344 億美元、81.9% 與 19.74 美元。

先前的財報已展現強勁成長動能。2026 財年第二季,美光營收年增至 238.6 億美元,較去年同期的 80.5 億美元接近翻三倍,遠高於市場預期的 200.7 億美元;調整後每股盈餘為 12.20 美元,也明顯超越預期的 9.31 美元。非 GAAP 毛利率為 74.9%,遠超記憶體產業過去多年下行週期時不到 30% 的水準。

分業務來看,DRAM 營收 188 億美元,年增 207%,占總營收 79%;NAND 營收 50 億美元,年增 169%。資料中心已成為美光最核心的收入與獲利來源。

花旗分析師預計 DRAM 平均售價將於 2026 年上漲 200%,現貨價格自 1 月初以來已累計上漲 52%,較現行合約價高出 21%。這一價差預示著合約價未來仍有進一步上調空間。

華爾街的分歧與共識:30% 空間還是估值高企

儘管德銀的大幅上調引發市場關注,但華爾街對美光的看法並非一致。

根據 LSEG 數據,在覆蓋美光的 47 位分析師中,有 44 位給予「買進」或「強力買進」評等。瑞銀上月將美光目標價由 535 美元大幅上調至 1,625 美元,TD Cowen 也將目標價上調至 1,500 美元。TD Cowen 分析師 Krish Sankar 在報告中表示,修訂目標價係基於其對 2027 年日曆年每股盈餘達 150 美元的預測。摩根士丹利本月將美光目標價由 520 美元上調至 1,050 美元。Aletheia Capital 更將目標價調升至 1,600 美元。

然而,也有較為謹慎的聲音。有分析師指出,美光的中位目標價為每股 949 美元,相較目前股價存在約 8% 的下行空間。市場人士指出,記憶體股急漲已反映 AI 缺貨、價格上行與獲利彈性三大利多,但在股價短期累積大幅漲幅後,後續能否維持強勢,將取決於 AI 資本支出是否持續擴張,以及記憶體供應緊張能否延續至明年。

這種分歧的本質,是對美光估值架構的認知差異。過去市場慣將美光視為傳統週期性記憶體標的,採用歷史高點股價淨值比模型進行估值。而多頭則認為,在 AI 結構性需求驅動下,應切換至基於預期盈餘的成長型科技公司估值模式。

美光目前靜態本益比約 48 倍,但 2026 年預期本益比已大幅壓縮。這一估值水準是否合理,取決於市場將其視為「週期股」還是「成長股」——前者意味當前處於週期頂部,後者則代表獲利成長將持續消化估值。

產能競賽與長期趨勢:記憶體超級週期的邊界條件

記憶體晶片產業正經歷一場產能擴張競賽。美光 2026 財年資本支出調升至超過 250 億美元。但新增產能的釋放節奏受制於半導體製造固有的時間剛性。

從需求端來看,AI 基礎設施建設的資本支出仍在持續擴張。摩根士丹利估計,到 2028 年 AI 建設還需額外 1.5 兆美元的外部融資。這些資本支出最終將轉化為對記憶體晶片的持續採購。德銀分析師明確表示,產業供需失衡狀況「在 2026 年下半年、2027 年乃至 2028 年持續存在,甚至可能進一步惡化」。

TD Cowen 提出一項更關鍵的結構性論點:記憶體在 AI 中的角色是結構性而非週期性。即使考慮規格調整,每單位功耗對應的 DRAM 含量仍持續提升——這意味 AI 基礎設施建設將推動記憶體強度不斷上升,不會如傳統伺服器週期般出現均值回歸。

但超級週期也有邊界條件。三星與 SK 海力士正加速追趕美光於 HBM 領域的領先地位。若三星 HBM4 良率於年底前追上,美光的報價優勢將縮小。此外,消費性電子終端已明顯感受到成本壓力,部分品牌客戶已開始逐步減少訂單,這可能壓抑下半年消費端 DRAM 價格上漲幅度。

記憶體價格的持續上漲正對下游需求產生反作用——這是所有週期性產業都難以迴避的規律。超級週期能否持續,最終取決於 AI 資料中心的採購需求能否持續抵銷消費性電子需求的收縮。

總結

美光科技今年 260% 的漲幅、盤中突破 1,110 美元的歷史新高,是 AI 算力基礎設施建設浪潮在記憶體晶片領域的集中反映。德銀將目標價上調至 1,500 美元的核心邏輯在於:AI 驅動的記憶體需求成長並非短期脈衝,而是持續數年的結構性趨勢;而供給端的產能釋放受制於半導體製造的時間剛性,供需失衡至少延續至 2028 年。

截至 6 月 18 日盤後,美光股價已逼近歷史高點。然而,30% 至 47% 的潛在上漲空間能否實現,取決於多重變數的共振:6 月 24 日的財報能否驗證德銀與高盛的樂觀預期、HBM 產能擴張進度是否如預期推進,以及消費性電子需求下行是否會對整體記憶體價格形成壓力。記憶體超級週期的敘事已然確立,但週期的演變從來不是一條直線。

常見問題(FAQ)

Q:美光科技今年累計漲幅具體是多少?

A:截至 2026 年 6 月 18 日,美光科技股價今年以來累計上漲約 260%。過去一年累計漲幅更為顯著,超過 750%。

Q:美光科技的歷史最高價是多少?

A:美光科技於 2026 年 6 月 16 日盤中創下 1,110.44 美元的歷史最高價。當日收盤價為 1,020.76 美元。

Q:截至 6 月 18 日,美光科技的最新股價是多少?

A:截至 2026 年 6 月 18 日,根據 Gate 股票行情數據顯示,美光科技收盤報價 1,043.19 美元,當日上漲 2.20%,盤後再漲 4.8%,暫報 1,092 美元。

Q:德銀上調美光目標價的依據是什麼?

A:德銀分析師 Melissa Weathers 指出,管理層對財務前景的展望持續改善、記憶體價格維持強勢,以及公司一貫經常超越華爾街營收預期,盈餘預測存在明顯上修空間。德銀認為 DRAM 供應緊張的情況「可能延續至 2028 年甚至更久」。

Q:AI 如何改變記憶體晶片的需求結構?

A:AI 伺服器對 HBM 的需求是傳統伺服器的 8 至 10 倍,DRAM 配置自傳統伺服器的 128GB 至 256GB 提升至 AI 伺服器的 512GB 至 1TB。美光預計 2026 年底資料中心 DRAM 與 NAND 需求將超過產業總需求的一半。

Q:記憶體晶片的供需缺口預計持續多久?

A:德銀預計供需失衡將於 2026 年下半年、2027 年乃至 2028 年持續存在,甚至可能進一步惡化。高盛預測 2026 至 2028 年 DRAM 供需缺口分別為 5.0%、5.9% 與 3.9%。

Q:美光下一份財報何時發布?

A:美光計畫於 2026 年 6 月 24 日公布第三財季業績。德銀預計當季營收將達 351 億美元,高於公司先前給出的 335 億美元預期。高盛預測營收、毛利率與每股盈餘分別為 376 億美元、83.4% 與 22.07 美元。

Q:華爾街對美光的看法是否存在分歧?

A:確實存在明顯分歧。在覆蓋美光的 47 位分析師中,44 位給予「買進」或「強力買進」評等,目標價最高達 1,625 美元。但也有機構給出 949 美元的中位目標價。分歧的核心在於美光應被視為「週期股」還是「成長股」。

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