美國半導體交易型基金在 2.1 兆美元拋售測試支撐後反彈

美國半導體 ETF 在 8 日（當地時間）反彈，此前自 6 月 22 日以來，市值已在 2.1 萬億美元的賣壓下測試了關鍵支撐位。費城半導體指數（SOX）收盤上漲 2.23%，至 12,574.97 點；iShares 半導體 ETF（SOXX）上漲 1.87%，至 562.03 點；Roundhill 記憶體 ETF（DRAM）漲 2.39%，至 62.04 點，根據雅虎財經 9 日的報導。反彈發生在 SOX 重新測試 12,000 點的支撐位，該位置曾短暫阻止五月的下跌，買盤在關鍵支撐區域進行了防守。雅虎財經指出，自 6 月 22 日收盤高點以來，半導體股票的市值已經蒸發近 2.1 萬億美元，折合中位數下跌 21%，其中記憶體晶片股承受最大壓力，三星下跌 25%，SK 海力士從高點下跌 30%。

SOX 與 SOXX 測試接近 12,000 的關鍵支撐位

SOX 價格趨勢。資料來源：雅虎財經

雅虎財經分析指出，SOX 正在形成一個典型的圖表形態，通過重新測試 12,000 區域，這一位置曾短暫阻止五月的下跌。分析指出，先前的天花板只有在買方能夠有效防守時，才會轉變為新的支撐。對於 SOX 來說，買方需要在收盤時維持 11,950 點的水平，而 SOXX 的支撐線則在 535 點。如果這些支撐線能守住，SOX 很可能輕鬆反彈至 13,000 點，並在 14,000 點設有較大的阻力位。如果支撐失守，指數可能再下跌 1,000 點，至 11,000 點。

自 6 月 22 日高點以來市值損失 2.1 萬億美元

雅虎財經報導指出，實際的賣壓非常激烈，自 6 月 22 日以來，SOX、DRAM 以及許多半導體股票的市值已經蒸發了近 2.1 萬億美元，折合中位數下跌 21%。DRAM 已進入熊市，收盤跌幅超過 20%，而 SOX 的熊市門檻則在 11,700 點。

雅虎財經描述記憶體半導體股票為最大壓力因素，指出三星電子從高點下跌 25%，類似的還有美光，而 SK 海力士則下跌 30%。

SK 海力士 Nasdaq 上市預定於 10 日

SOXX 價格趨勢。資料來源：雅虎財經

SK 海力士預定於 10 日（當地時間）在 Nasdaq 上市，這將成為一個重要的測試，以實時檢查投資者對 AI 記憶體市場的情緒。SK 海力士上市前的需求預測吸引了超過七倍於發行量的認購。如果以 8 日收盤價 2,076,000 韓元設定發行價，募資規模預計將達到 245 億美元（約 37.14 兆韓元）。

雅虎財經表示，半導體多頭的任務很簡單：只要這些支撐線能守住，這次賣壓就只會是一次支撐位的測試。

常見問題

美國半導體 ETF 正在測試哪些支撐位？
根據雅虎財經 9 日的分析，SOX 需要在收盤時維持 11,950 點的水平，而 SOXX 的支撐線則在 535 點。這些水平對應於 5 月曾短暫阻止 SOX 下跌的 12,000 區域。

自 6 月 22 日以來，半導體股票已經損失了多少市值？
自 6 月 22 日 SOX、DRAM 以及許多半導體股票創下收盤高點以來，市值已經蒸發了近 2.1 萬億美元，折合中位數下跌 21%。