据高盛称，三星2027年HBM价格增长预测于6月26日从14%上调至44%，受DRAM现货价格强劲上涨推动。DDR5现货价格自5月1日以来上涨20%，目前较5月合约溢价25%，而DDR4现货价格上涨11%，溢价45%。高盛警告称，由于HBM供应紧张以及传统DRAM与HBM之间的价格差距扩大，44%的预测可能仍低估上行风险。韩国5月DRAM出口创历史新高，环比增长21%，同比增长370%，而台湾内存供应商也从此轮价格上涨中大幅受益。
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