IBM تطلق تقنية رقاقات تحت 1 نانومتر مع 100 مليار ترانزستور؛ تطور NVIDIA رف طاقة تيار مستمر عالي الجهد بقدرة 800 فولت

وفقاً لأودالي، ظهرت عدة تطورات تكنولوجية كبرى في التداولات ما قبل افتتاح السوق الأمريكي يوم 25 يونيو. كشفت شركة IBM عن أول تقنية رقاقات دون النانومتر، تتميز بهندسة ترانزستور ثلاثية الأبعاد من نوع "نانوبيل" تدمج ما يقرب من 100 مليار ترانزستور على رقاقة أصغر من ظفر الإصبع، مع تحسينات في الأداء تصل إلى 50%. تعمل NVIDIA بنشاط على تطوير حل حامل الطاقة عالي الجهد المستمر (HVDC) بقدرة 800 فولت خاص بها، بهدف إكمال تحضيرات المخزون بحلول الربع الثالث من عام 2026، مع تقدير التبني الواسع النطاق بحلول عام 2028.

أطلقت Qualcomm رسمياً بنيتها عالية النطاق الترددي للحوسبة (HBC) لأسواق مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، مع اختبار الجيل الأول المتوقع في منتصف عام 2027 وإطلاق الجيل الثاني المستهدف بحلول عام 2028؛ ارتفعت أسهم Qualcomm بأكثر من 10% في التداولات ما قبل الافتتاح. رفعت Apple أسعار العديد من موديلات Mac وiPad بنسبة تصل إلى 20% بسبب قيود الذاكرة.

إخلاء المسؤولية: قد تكون المعلومات الواردة في هذه الصفحة مستمدة من مصادر خارجية وهي للمرجعية فقط. لا تمثل هذه المعلومات آراء أو وجهات نظر Gate ولا تشكل أي نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية. ينطوي تداول الأصول الافتراضية على مخاطر عالية. يرجى عدم الاعتماد حصرياً على المعلومات الواردة في هذه الصفحة عند اتخاذ القرارات. لمزيد من التفاصيل، يرجى الرجوع على إخلاء المسؤولية.
تعليق
0/400
لا توجد تعليقات