La firma de investigación de mercado IDC celebró un seminario web el día 8 titulado “Memory Market Outlook: When Will Supply Shortages End”, diagnosticando que la escasez de suministro ha empujado el punto de inflexión del mercado de la memoria a después de la segunda mitad de 2028. El pronóstico de IDC muestra que las tasas de escasez de DRAM se ampliarán hasta alrededor del 13% para el Q4 2027, mientras que las escaseces de NAND del 3-4% continuarán durante todo 2027. Las limitaciones de suministro provienen de cambios estructurales en la producción, donde más del 30% de los incrementos de capacidad de DRAM se asignan a productos de IA como HBM y SOCAMM, con volúmenes significativos ya comprometidos en acuerdos de suministro de largo plazo plurianuales.
Los pronósticos de IDC indican que la escasez de suministro de memoria se profundizará hasta 2027
El pronóstico de IDC en su seminario web mostró que las tasas de cumplimiento oferta-demanda del suministro de DRAM en realidad disminuyeron en comparación con el pronóstico de la firma del mes de marzo pasado. Se proyecta que las tasas de escasez de DRAM se amplíen hasta alrededor del 13% para el Q4 2027, mientras que se espera que las escaseces de flash NAND de 3-4% continúen durante todo 2027.
Se espera que las tasas de crecimiento de la producción de DRAM caigan por debajo de las tasas de crecimiento de la demanda tanto este año como el próximo, mientras que se prevé que la producción de NAND, en general, mantenga el ritmo de la demanda. IDC definió este año y el próximo como un período histórico de alto crecimiento, donde las escaseces de suministro y los aumentos rápidos de precios se solapan.
Según IDC, incluso cuando la capacidad de producción de DRAM aumenta casi un 10%, más del 30% de ese aumento se asigna a productos de IA como la memoria de alto ancho de banda (HBM) y SOCAMM. Volúmenes significativos ya están asegurados mediante acuerdos de suministro de largo plazo (LTA) plurianuales. Incluso con la expansión de fábricas y equipos, el volumen excedente disponible para el mercado general de DRAM es inevitablemente limitado.
Para NAND, aparte de la nueva fábrica de Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC) de China, prácticamente no hay expansión de capacidad a gran escala. Incluso si las tasas de crecimiento de la inversión de las grandes tecnológicas se ralentizan un poco, la estructura en sí carece de suficiente suministro para volver al mercado general.
La producción de HBM consume más del 30% de la nueva capacidad de DRAM
El centro de la demanda también se está desplazando de móvil y PC hacia productos de servidor y empresa. IDC pronostica que para 2030, el servidor y la HBM representarán más del 60% de la demanda de DRAM, y la proporción de SSD empresariales en NAND también se expandirá rápidamente.
A medida que la memoria se transforma de un componente para la electrónica de consumo a infraestructura fundamental que respalda centros de datos de IA, está emergiendo un ciclo distinto al del pasado, cuando las escaseces de suministro se resolvían rápidamente con nuevas operaciones de fábrica.
Jeffreys espera que los precios de la memoria aumenten significativamente en la segunda mitad de este año y pronostica que no habrá una tendencia clara a la baja hasta 2028. Gartner analiza que el suministro de DRAM de propósito general se ajustará aún más, ya que HBM absorberá una parte significativa de los incrementos de capacidad de producción. Counterpoint Research también sugiere que la normalización de la cadena de suministro ocurrirá, como muy pronto, a comienzos de 2028.
Micron firma 16 contratos estratégicos que cubren 100 mil millones de dólares
Micron firmó su primer Acuerdo de Cliente Estratégico (SCA) de cinco años el pasado marzo, y luego aumentó los contratos a 16 en tres meses. Entre ellos, 14 contratos tienen ingresos acumulados de aproximadamente 100 mil millones de dólares a precios mínimos contractuales para el resto del período del contrato.
Los contratos firmados cubren aproximadamente el 20% del volumen de DRAM de Micron y un tercio del volumen de NAND durante el período del contrato. Micron espera que, cuando se completen todas las firmas de contratos planificadas, más de la mitad de los ingresos totales estén sujetos a la aplicación del SCA.
Los contratos tienen formato “take or pay”, donde los clientes están obligados a comprar ciertos volúmenes. Esto muestra que el mercado de la memoria, que se centraba en negociaciones de precios trimestrales, se está transformando en una estructura que asegura con antelación varios años de volumen.
Esto coincide con que IDC designa los LTA como una condición esencial para asegurar un volumen estable. En una situación donde el suministro es limitado, los clientes que no firmen contratos a largo plazo pueden encontrar difícil asegurar los volúmenes necesarios incluso si los precios suben.
Los fabricantes de memoria cambian la estrategia de precios al control de volumen
Un punto destacable es el “desacoplamiento” entre precio y oferta-demanda. IDC ve que los aumentos de precios de la memoria se acercan a límites, y que los precios comienzan a moverse de forma independiente a las tasas de cumplimiento oferta-demanda. Dado que los precios de los contratos de DRAM para servidor han aumentado significativamente cada trimestre este año, la moderación futura de la tasa de crecimiento es una progresión natural.
Incluso si algunos precios de productos caen por debajo del mes o trimestre anterior, si los precios absolutos permanecen en máximos históricos y las escaseces de suministro continúan, es difícil interpretarlo como una señal de reversión de la industria.
Es probable que las estrategias de los fabricantes también se desplacen de los aumentos de precios al control de volumen. Elevar precios de forma indefinida podría aumentar la resistencia de la demanda por parte de fabricantes de dispositivos de consumo para PCs y teléfonos inteligentes. En cambio, los fabricantes pueden mantener una alta rentabilidad ajustando los volúmenes de suministro por producto y cliente, y priorizando la asignación de volumen a clientes estratégicos con contratos de largo plazo.
Quedan variables. Los anuncios de resultados de las grandes tecnológicas y los planes de inversión en IA de Google, Amazon y Meta son puntos de inflexión para confirmar la sostenibilidad de la demanda. No se puede descartar la posibilidad de que los aumentos de memoria con precios altos incrementen la carga de costos para los productos de consumo y reduzcan la demanda.
Sin embargo, la moderación del crecimiento de precios y la resolución de las escaseces de suministro no deben considerarse lo mismo. Las limitaciones técnicas de HBM, los altos volúmenes de entrada de obleas y la expansión de los contratos a largo plazo continúan limitando el suministro de memoria de uso general.
El vicepresidente de IDC, Kim Su-gyeom, afirmó: “Siguen existiendo ciclos de memoria, pero duran más que en el pasado y tienen características estratégicas más fuertes. El punto de inflexión del mercado de la memoria se ha retrasado aproximadamente un año y se espera que aparezca en 2028, seguido de un ajuste gradual”.
Preguntas frecuentes
P1: ¿Cuándo pronostica IDC que ocurrirá el punto de inflexión del mercado de la memoria?
R1: IDC pronostica que el punto de inflexión del mercado de la memoria se ha retrasado a después de la segunda mitad de 2028, aproximadamente un año más tarde que las proyecciones anteriores, debido a condiciones de suministro ajustado.
P2: ¿Qué porcentaje de la nueva capacidad de producción de DRAM se asigna a productos de IA?
R2: Según IDC, más del 30% de los incrementos de capacidad de DRAM se asignan a productos de IA como HBM y SOCAMM, con volúmenes significativos ya asegurados mediante acuerdos de suministro de largo plazo plurianuales.
P3: ¿Cuántos acuerdos con clientes estratégicos ha firmado Micron y cuál es su valor total?
R3: Micron aumentó sus acuerdos con clientes estratégicos a 16 en tres meses desde que firmó su primer contrato en marzo pasado. Entre ellos, 14 contratos tienen ingresos acumulados de aproximadamente 100 mil millones de dólares a precios mínimos contractuales, cubriendo aproximadamente el 20% del volumen de DRAM de Micron y un tercio del volumen de NAND.
