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Samsung y SK Hynix reevalúan la tecnología de unión híbrida para la próxima generación de HBM

2026-07-06 03:31:00

Según medios surcoreanos, Samsung Electronics y SK Hynix están reevaluando el cronograma para introducir la tecnología de unión híbrida en la memoria de alto ancho de banda (HBM) de próxima generación. El posible retraso se debe a una menor demanda de reducción de grosor y mejoras en el rendimiento térmico en las aplicaciones de HBM. Ambas empresas están desarrollando por separado soluciones térmicas alternativas —HPB e iHBM— planificadas para integrarse en los productos HBM5. Analistas del sector señalan que se espera que la unión híbrida siga siendo una ruta tecnológica crítica a largo plazo a medida que el recuento de pines de E/S de HBM continúa aumentando.

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Lucas Bennett07-05 09:27

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