SKハイニックスの宋賢鍾（ソン・ヒョンジョン）社長は、29日に行われた2026年Q2の決算説明会（カンファレンスコール）の中で、次世代HBM4Eの高速帯域メモリ技術について同社が自信を示し、「技術的な成熟度と生産の安定性を備えた最適なプロセスが適用されており、その後の開発スケジュールも順調に進んでいる」と述べた。今回の発表は、メモリの供給不足が、顧客に求められる出荷量を期限内に届ける能力を、メモリメーカーの中核的な競争力の要因に押し上げていることを背景にしている。宋氏は、SKハイニックスが、優れた品質、高需要を土台にした安定的な供給能力、コスト競争力、業界トップレベルの性能などを含む総合的な競争力によってHBMのリードを維持すると強調し、あわせて今期の投資額を上限40兆ウォン規模とする計画や、追加の株主還元策についての多面的な見直しを進めていることも明らかにした。
SKハイニックス、HBM4EおよびHBM4の量産展開を前進
SKハイニックスは2026年Q2にHBM4の量産出荷を開始し、下半期に生産を拡大する計画だ。同社は今年上半期に主要顧客へHBM4Eのサンプルを供給した。宋氏は、HBM4が、継続的な製品最適化により顧客が求める動作速度を実現しつつ、業界トップレベルの電力効率とコスト競争力を達成することで、差別化された技術的競争力を示したと述べた。同氏はさらに、同社が高品質、需要に支えられた安定供給能力、コスト競争力、業界トップレベルの性能を含む総合的な競争力によってHBMのリードを維持すると付け加えた。
SKハイニックス、1cナノDRAMおよび先端NANDポートフォリオを拡充
SKハイニックスは、2026年Q2から1cナノプロセスベースのDDR5製品の本格的な供給を開始する。NANDフラッシュについては、同社は先端プロセスへの移行を加速し、高容量・高性能製品を中心としたポートフォリオを強化する方針だ。宋氏は、顧客需要および中長期の成長に対応するために生産能力を拡大し続けると説明した。あわせて、顧客との協議と市場の需要予測に基づき、将来の供給能力に向けたインフラを先行して確保する計画だ。
SKハイニックス、上限40兆ウォン規模の投資と新施設を計画
SKハイニックスは、今年の投資規模が上限40兆ウォンの範囲になると見込んでいる。同社は最近、P&T7への投資計画を発表し、先端パッケージング能力の強化と新たなNAND生産拠点の整備を進めるとしている。さらに、ホナム地域に新しい国内半導体クラスターを設立する中長期計画も明らかにした。宋氏は、市場の変動があっても安定した事業運営を可能にする財務体制を確保しながら、高い収益性と戦略的価値を生み出しうる成長機会への投資を優先すると述べた。
SKハイニックス、追加の株主還元策を見直し
SKハイニックスは、追加の株主還元の実施に向けた多面的な見直しを行っている。宋氏は、同社が投資と安定運営を通じて生み出した成果を株主と引き続き共有する意向であり、具体的な計画は確定次第、市場に伝えるとしている。同社は、投資と株主還元の双方を同時に継続する方針だ。
FAQ
29日にSKハイニックスはHBM4E生産について何を発表しましたか？
SKハイニックスの宋賢鍾（ソン・ヒョンジョン）社長は、29日に行われた2026年Q2の決算説明会（カンファレンスコール）で、HBM4Eには技術的な成熟度と生産の安定性を備えた最適プロセスが適用されており、その後の開発スケジュールも順調に進んでいると述べた。同社は今年上半期に主要顧客へHBM4Eのサンプルを供給した。
SKハイニックスは今年どれくらい投資する予定ですか？
SKハイニックスは、今年の投資規模が上限40兆ウォンの範囲になると見込んでいる。同社は最近、P&T7向けの先端パッケージング施設と新たなNAND生産拠点の投資計画を発表し、あわせてホナム地域に新しい半導体クラスターを設立する中長期計画も明らかにした。
