A Comissão de Comércio Internacional dos EUA (ITC) abriu uma investigação sobre a Samsung Electronics, a Google, a NVIDIA, a Broadcom e a Super Micro Computer quanto à alegada violação de patentes de chips de memória da Netlist. As patentes em causa abrangem memória HBM (High Bandwidth Memory) e memória DDR5, e a ITC concordou em agendar a audiência deste caso para 16 de julho. Esta é a segunda vez que a Netlist recorre à ITC, alargando desta feita o conjunto de empresas visadas e o âmbito das patentes.
ITC abre investigação em tribunal sobre 5 empresas envolvidas em patentes Netlist
De acordo com o anúncio da ITC, a comissão concordou em agendar a audiência deste caso para 16 de julho de 2026, com os seguintes visados:
· Samsung Electronics
· Google
· NVIDIA
· Broadcom
· Super Micro Computer
A Netlist afirma que os produtos relacionados com HBM e DDR5 das cinco empresas acima violam as suas patentes. Estes dois formatos de memória são componentes críticos em servidores utilizados para executar cargas de trabalho de IA. Esta é a segunda vez que a Netlist recorre à ITC, alargando, desta vez, o conjunto de empresas visadas e o âmbito das patentes com base na primeira queixa.
Mecanismos de sanção da ITC na investigação: o impacto direto de uma proibição de importação na cadeia de abastecimento de HBM
A principal ferramenta de sanção da ITC é uma proibição de importação, diferente das decisões de indemnização monetária proferidas por tribunais locais: caso determine a violação de patentes americanas válidas, a ITC pode emitir um mandado que impede diretamente a importação dos produtos relevantes. A ameaça destas proibições recai sobre as empresas que exportam memória, aceleradores e servidores dos seus países de origem para os EUA.
O mercado de HBM está praticamente todo reservado neste momento. A forte disputa entre grandes operadores de serviços cloud por construir infraestruturas de IA tem impulsionado os preços de venda dos fabricantes. As patentes de HBM e DDR5 que a Netlist alega estarem a ser infringidas inserem-se na linha de produtos com maior escassez na cadeia de fornecimento de servidores para IA.
Contexto do mercado de memória para IA: previsão de lucros do 2.º trimestre da Samsung de 89,4 mil milhões de won sul-coreano
No início de julho de 2026, a Samsung Electronics previu que o lucro operacional do 2.º trimestre rondará os 89,4 mil milhões de won sul-coreano, cerca de 19 vezes o valor do período homólogo do ano anterior. A empresa indicou que a procura robusta é impulsionada sobretudo por memórias para IA, incluindo HBM, DRAM de servidores e memória flash NAND.
Os investidores consideram os resultados da Samsung Electronics, SK hynix e Micron como indicadores do rumo do mercado global de chips para IA. De acordo com a observação do mercado, as tendências das ações de memória sul-coreanas tendem a contagiar a Micron e os fundos ligados à tecnologia e aos semicondutores.
Perguntas frequentes
Que empresas estão sob investigação da ITC dos EUA no caso de patentes da Netlist e quando será a audiência?
De acordo com o anúncio da ITC, os visados incluem a Samsung Electronics, a Google, a NVIDIA, a Broadcom e a Super Micro Computer. As patentes em causa cobrem memória HBM e DDR5; a ITC concordou em agendar a audiência para 16 de julho de 2026.
Quais poderão ser os resultados de sanção da investigação da ITC?
Conforme a explicação das funções da ITC, a ITC não pode proferir decisões de indemnização monetária, mas, se determinar a existência de atos de violação de patentes americanas válidas, pode emitir uma proibição de importação para impedir que os produtos relevantes entrem no mercado dos EUA; o resultado específico fica sujeito ao anúncio oficial da ITC.
Qual é a previsão de lucros da Samsung para o 2.º trimestre de 2026?
No início de julho de 2026, a Samsung Electronics previu que o lucro operacional do 2.º trimestre rondará os 89,4 mil milhões de won sul-coreano, cerca de 19 vezes o valor do período homólogo do ano anterior. A empresa atribuiu isso à procura forte de memórias para IA, como HBM, DRAM de servidores e memória flash NAND.