CXMT của Trung Quốc thử nghiệm dây chuyền DRAM liên kết không có EUV, được cho là vượt trước Samsung và SK Hynix

2026-07-05 09:30:59

Theo báo cáo truyền thông Hàn Quốc, CXMT của Trung Quốc đang thử nghiệm dây chuyền sản xuất DRAM liên kết (bonded DRAM) tại Hợp Phì, sử dụng công nghệ quang khắc chỉ với tia cực tím sâu (DUV) thay vì quang khắc EUV. DRAM liên kết tách biệt mảng bộ nhớ và mạch ngoại vi trên các tấm bán dẫn khác nhau trước khi ghép chúng lại với nhau, cho phép sản xuất mật độ siêu cao mà không cần thiết bị EUV. Đánh giá từ phía Hàn Quốc cho thấy CXMT có thể dẫn trước Samsung Electronics và SK Hynix—những công ty đang phát triển công nghệ tương tự trong dự án "B1b" của Samsung và nỗ lực song song của SK Hynix—về cả năng lực công nghệ lẫn tốc độ phát triển.

Xem nguồn

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.

Tin tức liên quan

8giờ trước

Thế hệ TPU tiếp theo 'Humufish' của Google chuyển từ TSMC CoWoS sang Intel EMIB-T Packaging

10giờ trước

Các công ty hóa chất flo Trung Quốc đạt được đột phá về HF bán dẫn cấp G5, mở rộng sang chất làm mát AI

07-03 08:01

Samsung tìm cách tăng giá DRAM 20% trong quý 3 khi nguồn cung thắt chặt

07-03 05:31

Samsung Electronics đàm phán tăng giá DRAM quý 3 lên tới 20%

07-03 03:01

Google thay thế TSMC CoWoS bằng Intel EMIB-T Packaging cho TPU thế hệ tiếp theo, hỗ trợ kích thước die lớn hơn 8-10 lần vào năm 2026.

Phân tích chuyên sâu