Intel Xem Xét Cung Cấp Điện Hai Mặt cho Quy Trình 1,4nm 14A, Sản Xuất Thử Nghiệm vào Năm 2028

Theo BlockBeats, ngày 5 tháng 7, Intel đang cân nhắc áp dụng kiến trúc cung cấp điện hai mặt cho nút quy trình 14A lớp 1,4nm nhằm cạnh tranh với TSMC và Samsung. Công ty ban đầu có kế hoạch sử dụng công nghệ cung cấp điện mặt sau PowerDirect trong 14A nhưng hiện đang đánh giá phương pháp hai mặt tận dụng cả lớp kim loại mặt trước và mặt sau. Nút quy trình 14A của Intel nhắm mục tiêu bước M0 là 28 nanomet với mật độ chip cao hơn 1,3 lần so với 18A; quy trình 14A2 tiếp theo có thể đạt bước M0 21nm thông qua các cải tiến nửa bước. Intel đặt mục tiêu phát hành phiên bản 0,9 của bộ kit thiết kế quy trình 14A cho khách hàng bên ngoài vào tháng 10 năm 2026, với sản xuất thử nghiệm 14A dự kiến vào năm 2028 và sản xuất hàng loạt vào năm 2029.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận