Intel cấp bằng sáng chế cho Kiến trúc bộ nhớ XBM để cắt giảm chi phí đóng gói HBM

Theo Tom's Hardware, Intel đã công bố đơn xin cấp bằng sáng chế vào ngày 2 tháng 7 cho một kiến trúc bộ nhớ mới có tên Cross-Batch Memory (XBM), được thiết kế để thay thế hoặc bổ sung cho HBM truyền thống bằng cách giảm chi phí đóng gói và cải thiện năng suất sản xuất.

Kiến trúc XBM chuyển các bóng bán dẫn DRAM sang các lớp sản xuất back-end-of-line (BEOL) và thay thế giao diện song song rộng của HBM bằng truyền dữ liệu nối tiếp ở tốc độ 32 GT/s sử dụng tiêu chuẩn kết nối chiplet UCIe. Intel nhấn mạnh các cơ chế sửa chữa tích hợp và cấu trúc đóng gói đơn giản hóa để giảm chi phí tổng thể so với các ngăn xếp HBM dựa trên interposer silicon. Bằng sáng chế, được nộp lần đầu vào tháng 12 năm 2024, hiện vẫn ở giai đoạn ý tưởng và chưa có sản phẩm hay mốc thời gian nào được công bố.

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận