Kioxia bắt đầu vận chuyển NAND Flash 332 lớp tới các trung tâm dữ liệu AI, mật độ cao hơn 59% so với thế hệ trước

2026-07-04 01:49:03

Theo The Japan Times, nhà sản xuất chip Nhật Bản Kioxia đã bắt đầu gửi mẫu bộ nhớ flash 3D NAND thế hệ thứ 10 với 332 lớp tới các nhà vận hành trung tâm dữ liệu AI. Chip mới cung cấp mật độ bit cao hơn 59% so với sản phẩm thế hệ thứ tám và đạt tốc độ 4,8 Gb/s, nhanh hơn khoảng 33% so với thế hệ trước, đồng thời giảm mức tiêu thụ điện năng 10% cho đầu vào và 34% cho đầu ra. Việc sản xuất sẽ được tăng cường theo từng giai đoạn tại nhà máy Kitakami của Kioxia ở tỉnh Iwate, với sản lượng đáng kể dự kiến vào nửa đầu năm 2026.

Xem nguồn

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.

Tin tức liên quan

10giờ trước

Kioxia bắt đầu vận chuyển 3D NAND 332 lớp cho các trung tâm dữ liệu AI, mật độ bit cao hơn 59%

10giờ trước

Samsung sẽ tăng giá DRAM quý 3 lên 20%, thông báo cho các nhà sản xuất PC

11giờ trước

SemiAnalysis dự báo chi tiêu cho bộ nhớ trong các hệ thống Nvidia sẽ vượt quá 30% vào cuối năm 2026.

13giờ trước

UBS nâng dự báo giá DRAM và NAND đến năm 2027, DDR sẽ tăng 32% trong quý 3

18giờ trước

SemiAnalysis dự đoán tỷ trọng chi tiêu cho bộ nhớ của Nvidia sẽ vượt quá 40% vào năm 2027.

Phân tích chuyên sâu