美光於7月4日為其93億美元的日本記憶體廠擴建案破土動工

根據彭博報導，美光科技於 7 月 4 日動工擴建其位於日本廣島的工廠，投資額為 1.5 兆日圓（93 億美元），以生產包括用於 AI 處理器的高頻寬記憶體（HBM）在內的先進記憶體晶片。日本經濟產業省為該項目撥款最高 5000 億日圓（31 億美元），日本政府總計向美光承諾約 7750 億日圓（48 億美元）的支援。

新廠預計於 2028 年夏季左右出貨，生產將專注於使用極紫外光（EUV）技術的先進 DRAM 與 HBM 製造。