三星電子（Samsung Electronics）正進行 2026 年 Q3 通用型 DRAM 價格談判，根據韓媒《韓國 ZDNET》引述業界訊息，目標將通用型 DRAM 均價（ASP）較上季提高最多 20%；LPDDR 因伺服器和行動端出現「嚴重瓶頸」，漲幅目標超過 20%。
三星 Q3 價格談判目標：通用型 ASP 最多漲 20%，LPDDR 超過 20%
根據《韓國 ZDNET》引述的業界訊息，三星在 Q3 價格談判中展現強硬態度。通用型 DRAM 均價（ASP）目標季增最多 20%；LPDDR（低功耗雙倍資料速率記憶體）因伺服器與行動端同步出現「嚴重瓶頸」，漲幅目標超過 20%。三星前兩季漲幅對比：Q1 DRAM ASP 季增約 90%，Q2 季增約 50 至 60%。
業界人士評估，三星在通用型 DRAM 的全球市佔率居首，使其在議價上具更強主導力，加上通用型 DRAM 在三星總產量中佔比較高，是其漲勢比 SK 海力士更為顯著的主因。
業界人士亦注意到，終端廠商仍可能以減少訂單量或轉向其他供應商作為談判籌碼，Q3 最終成交漲幅待觀察。
瑞銀（UBS）調高記憶體報價預估：Q3/Q4 各季 DRAM 與 NAND 預測數字
根據瑞士銀行（UBS）最新報告，DRAM 及 NAND 報價預測如下：
DRAM Q3 報價：季增 32%（較市場平均共識顯著偏高）
DRAM Q4 報價：季增 18%
NAND Q3 報價：季增 30%
NAND Q4 報價：季增 12%
UBS 的這項預測遠高於市場平均共識，反映華爾街對 AI 帶動的記憶體超級週期保持高度樂觀態度。上述為 UBS 分析師的個人預測，不構成投資建議；實際報價以各廠商官方公告及行業數據為準。
SK 海力士訂價穩定的原因：HBM 長期合約護體與即將赴美上市背景
SK 海力士的 Q3 訂價趨勢相對穩定，主因為其更高比例的 AI 高頻寬記憶體（HBM）業務以長期合約（LTA）為主，合約鎖定價格不易受短期市場波動影響。SK 海力士即將在納斯達克進行規模達 290 億美元的美國上市（IPO），市場預期其資本擴張能力將進一步拉開與三星在 HBM 領域的差距。
相較而言，三星的通用型 DRAM 業務比重較高，受現貨價格波動影響更大，因此在 Q3 漲價談判中的積極程度也更為明顯。
常見問題
三星 Q3 DRAM 漲價談判的最新進展如何，最終漲幅是否已確定？
根據韓媒《韓國 ZDNET》引述業界訊息，三星 Q3 通用型 DRAM 漲價目標為最多 20%，LPDDR 超過 20%；但業界同時指出，終端廠商可能以減少訂單量或轉向其他供應商作為談判籌碼，Q3 最終成交漲幅尚待確定。具體成交數字以各廠商官方財報公告為準。
瑞銀的 DRAM 和 NAND 報價預測高於市場共識多少？
根據報道，UBS 預測 DRAM Q3 季增 32%、Q4 季增 18%，NAND Q3 季增 30%、Q4 季增 12%；報道指出這項預測「遠高於市場平均共識」，但未揭露市場共識具體數字。上述為 UBS 分析師個人預測，以官方市場研究報告更新為準。
為什麼三大記憶體廠商的傳統 DRAM 供給持續緊縮？
根據報道，三大記憶體廠（三星、SK 海力士、美光）已將約 93% 的產能轉向 HBM 生產；每生產 1 位元 HBM 需比 DDR5 多消耗約三倍的晶圓產能，傳統 DRAM 供給因此被大幅排擠。新增晶圓產能最早 2027 年才放量，供給緊縮結構短期內難以快速緩解。
