據 BlockBeats 援引 Citrini 研究員 Jukan 報導，Samsung Electronics 於 6 月 30 日提交了一項新的 HBM 專利，以增強高堆疊（12 層以上）記憶體的可靠性。該專利改進了頂層假晶片結構，通過引入三層階梯設計與曲面，採用深槽切割技術減少翹曲、開裂和分層，同時優化熱管理和鍵合界面清潔度。這項創新針對 HBM5 和 16 層以上產品，可能提升良率和長期穩定性。
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