根據路透社報導，Tower Semiconductor 今天（7 月 14 日）宣布一項 30 億美元投資，以擴大日本的晶片製造，並且其中 10 億美元的資金來自日本政府。該公司將分兩個階段提升 300mm 矽光子器件產能。第一階段包括升級其 Fab 6 設施，預期將於 2027 年 Q4 開始全面量產。第二階段同步推出，將在其 Fab 7 旁建造一座新的 300mm 光刻廠。
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