据《日本时报》报道，日本芯片制造商 Kioxia 已开始向 AI 数据中心运营商发送其 332 层第十代 3D NAND 闪存样品。新芯片的位密度比第八代产品提高 59%，速度达到 4.8 Gb/s，比上一代快约 33%，同时输入功耗降低 10%，输出功耗降低 34%。生产将在 Kioxia 位于岩手县的北上工厂分阶段推进，预计 2026 年上半年实现大规模量产。
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