Samsung Akan Menerapkan Proses 2nm untuk Memori AI HBM5, 50% Lebih Cepat Dibanding HBM4E

Menurut Chosun Daily, pada 27 Juli Samsung Electronics mengumumkan rencana untuk menggunakan proses 2-nanometer pada base die memori bandwidth tinggi generasi kedelapannya (HBM5). Perusahaan mengatakan HBM5 akan memproses data lebih dari 50% lebih cepat dibanding chip HBM4E saat ini, dengan memanfaatkan base die 2nm Gate-All-Around dan improved through-silicon vias (TSV) untuk meningkatkan kecepatan serta efisiensi daya.
Penafian: Informasi di halaman ini mungkin berasal dari sumber pihak ketiga dan hanya untuk referensi. Ini tidak mewakili pandangan atau pendapat Gate dan bukan merupakan nasihat keuangan, investasi, atau hukum. Perdagangan aset virtual melibatkan risiko tinggi. Mohon jangan hanya mengandalkan informasi di halaman ini saat membuat keputusan. Untuk detailnya, lihat Penafian.
Komentar
0/400
Tidak ada komentar