根據韓國媒體報導，中國的 CXMT 正在合肥測試一條 bonded DRAM 生產線，該生產線繞過 EUV 微影技術，僅使用深紫外（DUV）曝光技術。Bonded DRAM 將記憶體陣列和周邊電路分散在不同晶圓上，然後再將它們接合在一起，實現無須 EUV 設備的超高密度生產。韓國評估認為，CXMT 在技術能力和開發速度兩方面可能領先三星電子和 SK 海力士——這兩家公司正在開發類似技術，分別是三星的「B1b」專案和 SK 海力士的平行努力。
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