根據台灣 DigiTimes 援引的多位業界消息人士指出，三星電子、SK Hynix 與美光（Micron）預計明年 HBM4 記憶體價格將翻倍。該預測顯示，HBM4 價格將從今年下半年約每千兆位（Gb）2 美元，上調至明年每 Gb 4-5 美元或更高；同時，目前 HBM3E 價格為每 Gb 1.5-1.6 美元，也預期將上升。三大全球記憶體製造商預計將在今年第四季左右敲定明年 HBM 供應定價。價格飆升歸因於下半年 NVIDIA 新一代 AI 平台 Verarubin 上市前的需求激增，外加生產瓶頸與擴大的長期供應合約（LTA）。業界指出，HBM 製造消耗的晶圓產能約為標準 DDR5 DRAM 的 3 倍；HBM4 的整體生產週期為 4-6 個月，而 DDR5 為 3-3.5 個月，因而在 AI 基礎設施建置過程中進一步加劇供給限制。
HBM4 生產瓶頸推動供給受限
根據 DigiTimes 援引的業界專家，HBM 製造所需的晶圓產能約為標準 DDR5 DRAM 的 3 倍。HBM4 的整體生產週期為 4-6 個月，最高可達 DDR5 所需 3-3.5 個月的 2 倍；此外，初期良率較低也進一步對定價形成壓力。產業分析師認為，大幅度的價格上漲源於這些生產限制，並與 NVIDIA Verarubin 平台預定於下半年推出所帶來的擴大需求同步發生。
長期合約鎖定記憶體產能
根據該報告援引的業界預測，主要 AI 客戶正與記憶體製造商簽下 3-5 年的長期協議（LTA）以及策略性客戶合約（SCA），鎖定預估約 20-30% 的一般 DRAM 生產產能。考量 HBM 佔總 DRAM 產能約 30%，分析指出，從明年起約有一半的總產能可能會被預先分配給主要客戶。供應商則在長期合約中取得「結算後（post-settlement）」條款；若市場價格高於最初固定的合約價格，則可獲得額外付款，據消息來源指出。
DDR5 獲利性影響 HBM 定價策略
DigiTimes 報告指出，今年部分供應商的 DDR5 利潤率超過 80%，且每一季仍持續上升。越來越多客戶將 DDR5 選作替代昂貴且稀缺的 HBM，進而推升對標準記憶體類型的需求。由於 DDR5 的生產週期較短、且製程轉換相對比 HBM4 更容易，可帶來更高的短期獲利。三星電子與 SK Hynix 正在因應之下，將部分產能重新調回 DDR5。DigiTimes 分析顯示，若 DDR5 獲利維持在高位，供應商很可能會要求進一步上調 HBM 價格，以合理化將一般 DRAM 生產線轉為 HBM 製造。
AI 基礎設施需求展望仍強勁
近期有報導指出 Meta 正尋求對外租賃 AI 運算資源，引發需求可能走弱的疑慮，但根據消息來源，業界共識認為這種解讀被誇大。AI 基礎設施仍處於供給短缺狀態，且截至 2027 年前沒有明顯放緩跡象。主要雲端服務供應商正為明年準備積極的資本支出（capex），並預估 HBM、DDR、伺服器記憶體模組（RDIMM）以及企業級固態硬碟（eSSD）的需求將持續成長。DigiTimes 指出，未簽有長期合約的客戶面臨最大的供給風險；消費性電子製造商與中小型客戶預期在取得足量供貨方面將愈來愈困難。
FAQ
明年預期的 HBM4 價格漲幅是多少？
根據台灣 DigiTimes 援引的多位業界消息人士指出，HBM4 價格預計將從今年下半年約每千兆位（Gb）2 美元，上調至明年每 Gb 4-5 美元或更高。另據預期，目前 HBM3E 價格為每 Gb 1.5-1.6 美元，也將上升。三星電子、SK Hynix 與美光預計將在今年第四季左右敲定明年的 HBM 供應定價。
為什麼預期 HBM4 價格會翻倍？
價格飆升源於下半年 NVIDIA Verarubin 平台推出前需求大幅增溫，並結合生產瓶頸與擴大的長期供應合約。HBM 製造消耗的晶圓產能約為標準 DDR5 DRAM 的 3 倍；HBM4 的生產週期跨 4-6 個月，而 DDR5 為 3-3.5 個月。長期合約正鎖定預估約 20-30% 的一般 DRAM 產能，而 HBM 佔總 DRAM 產能約 30%。
長期合約如何影響記憶體供給？
主要 AI 客戶正在與三星電子、SK Hynix 與美光簽下 3-5 年的長期協議（LTA）以及策略性客戶合約（SCA），並預先分配預估約 20-30% 的一般 DRAM 生產產能。業界分析顯示，從明年起約有一半的總產能可能會預先分配給主要客戶。供應商則在長期合約中取得「結算後（post-settlement）」條款；若市場價格上漲至高於最初固定的合約價格，則可獲得額外付款，據 DigiTimes 援引的消息來源指出。
